【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种ESD(Electrostatic Discharge：静电放电)保护器件及其制造方法，特别涉及对ESD保护器件中为促进静电放电而设置的放电辅助电极的改良。
技术介绍
本专利技术关注的过电压保护元件记载在例如日本专利特开2008-85284号公报(专利文献1)中。在专利文献1中，对于要成为用于促进放电而设置的放电辅助电极的过电压保护元件材料，记载有包含非导体粉末(例如，碳化硅：粒径1～50m)、金属导体粉末(例如，铜：粒径0.01～5μm)、粘合剂(例如，玻璃粉末)的材料。另外，在专利文献1中，作为过电压保护元件的制造方法，记载有包含以下工序的方法：以规定的比例使非导体粉末、金属导体粉末及粘合剂均匀混合以形成糊料的工序；将该糊料印刷于基板上的工序；以及对该基板实施烧成处理(温度：300～1200℃)的工序。然而，在专利文献1所记载的技术中，存在以下需要解决的问题。首先，由于金属导体粉末的表面露出，因此，在放电时所露出的金属导体彼此会结合，从而绝缘可靠性有可能会降低。另外，用作为非导体粉末的碳化硅是绝缘电阻较低的半导体，因此，难以提高绝缘可靠性。作为解决上述问题的技术，例如有国际公开第2009/098944号刊物(专利文献2)所记载的技术。在专利文献2中，记载有将被无机材料(Al2O3等)所包覆的导电材料(Cu粉末等)进行分散后所得的材料用作为放电辅助电极的...
【技术保护点】
一种ESD保护器件，其特征在于，包括：第一及第二放电电极，该第一及第二放电电极配置成彼此相对；放电辅助电极，该放电辅助电极形成为横跨在所述第一及第二放电电极间；以及绝缘体基材，该绝缘体基材对所述第一及第二放电电极和所述放电辅助电极进行保持，所述放电辅助电极由具有核壳结构的多个金属粒子的集合体构成，所述核壳结构由以第一金属为主要成分的核部、及以包含第二金属的金属氧化物为主要成分的壳部构成，所述壳部至少有一部分存在空孔。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.02.29 JP 2012-0427381.一种ESD保护器件，其特征在于，包括：
第一及第二放电电极，该第一及第二放电电极配置成彼此相对；
放电辅助电极，该放电辅助电极形成为横跨在所述第一及第二放电电
极间；以及
绝缘体基材，该绝缘体基材对所述第一及第二放电电极和所述放电辅
助电极进行保持，
所述放电辅助电极由具有核壳结构的多个金属粒子的集合体构成，所
述核壳结构由以第一金属为主要成分的核部、及以包含第二金属的金属氧
化物为主要成分的壳部构成，
所述壳部至少有一部分存在空孔。
2.如权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，
所述核部在所述空孔附近具有凹陷。
3.如权利要求1或2所述的ESD保护器件，其特征在于，
所述多个金属粒子的集合体包含将多个所述金属粒子间进行结合的含
玻璃质物质。
4.如权利要求1至3的任一项所述的ESD保护器件，其特征在于，
所述壳部的厚度为50～1500nm。
5.如权利要求1至4的任一项所述的ESD保护器件，其特征在于，
所述第二金属比所述第一金属更容易发生氧化。
6.如权利要求5所述的ESD保护器件，其特征在于，
所述第一金属是铜或以铜为主要成分的铜类合金。
7.如权利要求5或6所述的ESD保护器件，其特征在于，
包含所述第二金属的所述金属氧化物是从氧化铝、氧化硅、氧化镁及
氧化镍中所选出的至少一种。
8.如权利要求5至7的任一项所述的ESD保护器件，其特征在于，
所述核部含有所述第二金属作为次要成分。
9.如权利要求1至8的任一项所述的ESD保护器件，其特征在于，
所述第一及第二放电电极和所述放电辅助电极配置于所述绝缘体基材
的内部，所述绝缘体基材具有对所述第一及第二放电电极间的所述间隙进
行配置的空洞，
所述ESD保护器件还包括第一及第二外部端子电极，该第一及第二外
部端子电极形成在所述绝缘体基材的表面上，且分别与所述第一及第二放
电电极进行电连接。
10.一种ESD保护器件的制造方法，其特征在于，包括：
准备合金粉末的工序，所述合金粉末由包含第一金属及比所述第一金
属更容易发生氧化的第二金属的合金构成；...
【专利技术属性】
技术研发人员：鹫见高弘，足立淳，筑泽孝之，石川久美子，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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