【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件。
技术介绍
对于低压电路的ESD防护而言，一个有效的静电放电防护器件必须能够保证相对低的触发电压，相对高的维持电压，提供较强的ESD保护能力，并占用有限的布局面积。基于这些考虑，硅控整流器(SCR)是一个非常有吸引力的器件来提供ESD保护解决方案。但是，SCR的维持电压通常很低，容易发生闩锁效应和误开启，传统方法是在SCR的P基区插入大面积的N阱区，从而拉伸了寄生NPN晶体管的基区宽度，减小了 SCR的电流放大系数aseR，提高了 ESD保护器件的维持电流，然而它会增加器件面积，增加了生成成本，更限制了器件的应用领域。
技术实现思路
本技术为解决上述问题，提供了一种齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件，其通过在SCR的阳极区引入阳极短路点对版图进行改造，极大的缩小了器件的面积，提高了芯片的利用率，降低了生产成本，具有很强的经济实用性。为实现上述目的，本技术采用的技术方案为:—种齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件，其特征在于，其包括P型衬底⑴以及在P型衬底(I)上依次设置有相互隔离的齐纳二极管(Z)、第一 ...
【技术保护点】
一种齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件，其特征在于，其包括P型衬底（1）以及在P型衬底（1）上依次设置有相互隔离的齐纳二极管（Z）、第一N型阱（2a）、第二N型阱（2b）、第三N型阱（2c）；所述的齐纳二极管（Z）上设有第一N+有源注入区（5a），所述的第一N型阱（2a）上设有第二N+有源注入区（5b），所述的第二N型阱（2b）上设有第三N+有源注入区（5c），所述的第三N型阱（2c）上设有第四N+有源注入区（5d），各个N+有源注入区（5a、5b、5c、5d）之间分别设有SP有源注入区（6a、6b、6c、6d），且各个N+有源注入区与各个SP有源注入区之间相互隔离；其中...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高秀秀，陈利，张军亮，姜帆，高耿辉，
申请(专利权)人：厦门元顺微电子技术有限公司，大连连顺电子有限公司，友顺科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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