本实用新型专利技术公开了一种齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件，其包括P型衬底以及在P型衬底上依次设置有相互隔离的齐纳二极管、第一N型阱、第二N型阱、第三N型阱；所述的齐纳二极管上设有第一N+有源注入区，所述的第一N型阱上设有第二N+有源注入区，所述的第二N型阱上设有第三N+有源注入区，所述的第三N型阱上设有第四N+有源注入区，各个N+有源注入区之间分别设有SP有源注入区，且各个N+有源注入区与各个SP有源注入区之间相互隔离；其中，所述的第一N型阱上设置有多个第二SP有源注入区，且各个第二SP有源注入区之间设有阳极短路点；从而提高ESD保护器件的维持电流，提高器件的工作可靠性和鲁棒性，减小了器件的面积和寄生电容，实用性更强。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件。
技术介绍
对于低压电路的ESD防护而言，一个有效的静电放电防护器件必须能够保证相对低的触发电压，相对高的维持电压，提供较强的ESD保护能力，并占用有限的布局面积。基于这些考虑，硅控整流器(SCR)是一个非常有吸引力的器件来提供ESD保护解决方案。但是，SCR的维持电压通常很低，容易发生闩锁效应和误开启，传统方法是在SCR的P基区插入大面积的N阱区，从而拉伸了寄生NPN晶体管的基区宽度，减小了 SCR的电流放大系数aseR，提高了 ESD保护器件的维持电流，然而它会增加器件面积，增加了生成成本，更限制了器件的应用领域。
技术实现思路
本技术为解决上述问题，提供了一种齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件，其通过在SCR的阳极区引入阳极短路点对版图进行改造，极大的缩小了器件的面积，提高了芯片的利用率，降低了生产成本，具有很强的经济实用性。为实现上述目的，本技术采用的技术方案为:—种齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件，其特征在于，其包括P型衬底⑴以及在P型衬底(I)上依次设置有相互隔离的齐纳二极管(Z)、第一 N型阱(2a)、第二 N型阱(2b)、第三N型阱(2c);所述的齐纳二极管(Z)上设有第一 N+有源注入区(5a)，所述的第一 N型阱(2a)上设有第二 N+有源注入区(5b)，所述的第二 N型阱(2b)上设有第三N+有源注入区(5c)，所述的第三N型阱(2c)上设有第四N+有源注入区(5d)，各个N+有源注入区(5a、5b、5c、5d)之间分别设有SP有源注入区出3、613、6(3、6(1)，且各个奸有源注入区与各个3?有源注入区之间相互隔离；其中，所述的第一N型阱(2a)上设置有多个第二 SP有源注入区(6b)，且各个第二SP有源注入区^b)之间设有阳极短路点(3b)。优选的，所述的齐纳二极管(Z)由高掺杂的第一 N+有源注入区(5a)和ZP有源注入区⑷形成。优选的，所述的第一 N型阱(2a)上还设有N-有源注入区(3a)，所述的第二 SP有源注入区(6b)及其之间的阳极短路点(3b)、所述的第一 N型阱(2a)及其N-有源注入区(3a)、所述的P型衬底(I)分别形成了寄生PNP晶体管的发射极、基极和集电极。优选的，所述的第一 N型阱(2a)及其N-有源注入区(3a)、所述的P型衬底(1)、所述的第三N型阱(2c)及其第四N+有源注入区(5d)分别形成了寄生NPN晶体管的集电极、基极和发射极。优选的，所述的第二 N型阱(2b)及其第三N+有源注入区(5c)、设于第三N+有源注入区(5c)与第四N+有源注入区(5d)之间的第三SP有源注入区(6c)形成反向二极管。优选的，所述的各个N+有源注入区(5a、5b、5c、5d)与各个SP有源注入区(6a、6b、6c、6d)之间采用场氧隔离区(fox)进行相互隔离。本技术的有益效果是:本技术通过在SCR阳极区引入阳极短路点，对版图进行改造，改变阳极区载流子浓度，降低了 SCR阳极一侧寄生PNP晶体管的电流放大系数α ΡΝΡ，从而减小了 SCR的电流放大系数aseR，进而提高了 ESD保护器件的维持电流和闩锁免疫能力；同时，在多通路ESD保护中，优化的版图布局使得ESD电流的泄放更均匀，从而提高了器件的鲁棒性，并极大地缩小了器件的面积，提高了芯片利用率，降低了器件的寄生电容，优化了器件的频率特性，降低了生产成本，具有很强的经济实用性。【附图说明】此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中:图1为本技术一种齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件的主要层次的版图结构示意图；图2为图1的Α-Α’切线方向上的结构剖面图；图3为图1的Β-Β’切线方向上的结构剖面图；图4为本技术一种齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件的等效电路示意图。【具体实施方式】为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。如图1至图3所示，本技术的一种齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件，其特征在于，其包括P型衬底I以及在P型衬底I上依次设置有相互隔离的齐纳二极管Ζ、第一N型阱2a、第二 N型阱2b、第三N型阱2c ;所述的齐纳二极管Z上设有第一 N+有源注入区5a，所述的第一 N型阱2a上设有第二 N+有源注入区5b，所述的第二 N型阱2b上设有第三N+有源注入区5c，所述的第三N型阱2c上设有第四N+有源注入区5d，各个N+有源注入区5a、5b、5c、5d之间分别设有SP有源注入区6a、6b、6c、6d，且各个N+有源注入区与各个SP有源注入区之间相互隔离；其中，所述的第一 N型阱2a上设置有多个第二 SP有源注入区6b，且各个第二 SP有源注入区6b之间设有阳极短路点3b。所述的齐纳二极管Z由高掺杂的第一 N+有源注入区5a和ZP有源注入区4形成。所述的第一 N型阱2a上还设有N-有源注入区3a，所述的第二 SP有源注入区6b及其之间的阳极短路点3b、所述的第一 N型阱2a及其N-有源注入区3a、所述的P型衬底I分别形成了寄生PNP晶体管的发射极、基极和集电极。所述的第一 N型阱2a及其N-有源注入区3a、所述的P型衬底1、所述的第三N型阱2c及其第四N+有源注入区5d分别形成了寄生NPN晶体管的集电极、基极和发射极。所述的第二 N型阱2b及当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件，其特征在于，其包括P型衬底（1）以及在P型衬底（1）上依次设置有相互隔离的齐纳二极管（Z）、第一N型阱（2a）、第二N型阱（2b）、第三N型阱（2c）；所述的齐纳二极管（Z）上设有第一N+有源注入区（5a），所述的第一N型阱（2a）上设有第二N+有源注入区（5b），所述的第二N型阱（2b）上设有第三N+有源注入区（5c），所述的第三N型阱（2c）上设有第四N+有源注入区（5d），各个N+有源注入区（5a、5b、5c、5d）之间分别设有SP有源注入区（6a、6b、6c、6d），且各个N+有源注入区与各个SP有源注入区之间相互隔离；其中，所述的第一N型阱（2a）上设置有多个第二SP有源注入区（6b），且各个第二SP有源注入区（6b）之间设有阳极短路点（3b）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高秀秀，陈利，张军亮，姜帆，高耿辉，
申请(专利权)人：厦门元顺微电子技术有限公司，大连连顺电子有限公司，友顺科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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