【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种单向晶闸管芯片的门极结构。
技术介绍
随着科学技术和社会经济的快速发展，电力电子技术越来越朝着高频化、大功率化、智能化和模块化的方向发展，原有的单向晶闸管芯片产品在无功补偿领域及电力模块的应用中经常被烧毁，导致电路被损坏而不工作，已不能满足高端市场需求。损坏的主要原因是，由于单向晶间管芯片的门极一般采用角门极和中心门极，其门极触发周界偏小，芯片的dl/dt值不高，从而导致在高的dl/dt条件下，电流集中在门极附近很小的区域内，该区域的电流密度过大，导致器件的门极G区易烧毁，因此市场上迫切需求稳定的高性能参数单向晶闸管产品，该产品必须同时具备高的dV/dt和dl/dt。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种单向晶闸管芯片的门极结构。本技术采用的技术方案是一种单向晶闸管芯片的门极结构，包括门极G区、阴极K区和钝化沟槽区，所述门极G区和阴极K区四周包裹有钝化沟槽区。所述门极G区的形状为三角形。所述门极G区的形状为P型。本技术的技术原理是由晶闸管dl/dt原理公式 ,I1 (lt= S° ΑΓ 0 ° nVS d式中 为门极G区的触发周界，Δ T为温升，Vs为Va ton扩展速度，d为硅片厚度，ton为开通时间。从理论公式可以得知，提高芯片的dl/dt耐量，必须提高晶闸管的初始导通速度， 也可以通过提高增大初始导通面积或者增大门极和阴极间的距离来实现，达到提高产品性能的目的。本技术的优点是在保持高电压、大电流的前提下，同角门极结构或中心门极结构的晶闸管相比，边门极结构的单向晶闸管门极触发周界提高了近一倍，而芯片的纵向结构参数不变，既提高了芯片的dl/dt...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王成森，黎重林，沈怡东，周榕榕，
申请(专利权)人：江苏捷捷微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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