一种集成式多路可控硅制造技术

本发明专利技术提出了一种集成式多路可控硅，其通过将多个可控硅集成在一个封装中，非并联结构，保证了多个可控硅的独立性和散热效率，提高了设计效率，降低了生产成本，提升了整机产品性价比，其特征在于：其包括引线框架，所述引线框架内设置有底板，所述底板上焊接有两个以上的可控硅芯片，所述可控硅芯片的第一极均与底板电性连接，所述底板同时作为引线框架的第一极对外引脚；所述可控硅芯片的第二极分别通过内部引线与引线框架的第二极对外引脚电性连接；所述可控硅芯片的控制极分别通过内部引线与引线框架的控制极对外引脚电性连接。线与引线框架的控制极对外引脚电性连接。线与引线框架的控制极对外引脚电性连接。

【技术实现步骤摘要】
一种集成式多路可控硅


[0001]本专利技术涉及可控硅相关
，具体涉及一种集成式多路可控硅。

技术介绍

[0002]现有的市面上的可控硅，都是单个分立式可控硅。当一个电路需要控制几个负载的时候，只能是一个分立式可控硅对应控制一个负载，有几路负载就需要用到几个分立式可控硅。这样就增加设计的复杂度和工作量以及生产的成本。
[0003]现有技术中，一个可控硅芯片只能焊接到一个基板上面。如果想要实现两个及以上可控硅芯片产品焊接到一个基板上面，只能形成并联关系，存在以下缺点：1、无法满足各路可控硅的独立性，做不到分开控制不同的负载的目的；2、可控硅同时工作时发热量较大；3、由于个体差异存在，导致可控硅不能完全同时打开，性能上不如单个大可控硅；4、性价比低等。
[0004]有鉴于上述的缺陷，当前亟需设计一种新型的集成式多路可控硅来解决问题。

技术实现思路

[0005]为了解决上述内容中提到的问题，本专利技术提出了一种集成式多路可控硅，其通过将多个可控硅集成在一个封装中，非并联结构，保证了多个可控硅的独立性和散热效率，提高了设计效率，降低了生产成本，提升了整机产品性价比。
[0006]其技术方案是这样的：一种集成式多路可控硅，其特征在于：其包括引线框架，所述引线框架内设置有底板，所述底板上焊接有两个以上的可控硅芯片，所述可控硅芯片的第一极均与底板电性连接，所述底板同时作为引线框架的第一极对外引脚；所述可控硅芯片的第二极分别通过内部引线与引线框架的第二极对外引脚电性连接；所述可控硅芯片的控制极分别通过内部引线与引线框架的控制极对外引脚电性连接。
[0007]进一步的，所述可控硅芯片为单向可控硅时，所述可控硅芯片的第一极为阴极，第二极为阳极。
[0008]进一步的，所述可控硅芯片为单向可控硅时，所述可控硅芯片的背部为阴极，正面为控制极和阳极共面。
[0009]进一步的，所述可控硅芯片为双向可控硅时，所述可控硅芯片的第一极为第一阳极，第二极为第二阳极。
[0010]进一步的，所述可控硅芯片为双向可控硅时，所述可控硅芯片的背部为第一阳极，正面为控制极和第二阳极共面。
[0011]进一步的，所述底板与引线框架的第二极对外引脚和控制极对外引脚均不相连。
[0012]进一步的，所述内部引线包括：铝线、铜线、铜带、合金线等，可以实现电气连接的连接线。
[0013]本专利技术的有益效果为：本专利技术通过将多个可控硅芯片焊接到同一个底板上面，从而实现集成化封装；采用非并联结构，保证了多个可控硅之间的独立性，可以分别同时进行不同路的负载控制，而互不影响。
[0014]本专利技术采用共第一阳极或阴极的设计，可以更加有效的利用印刷电路板上覆铜板的散热能力，提高散热效率，降低产品发热量，进而提高产品可靠性。
[0015]3、本专利技术的多路集成可控硅相对于分立可控硅，更加集成化，可以最大程度的减小印刷电路板的面积，降低物料管控的成本，提高电路设计人员的设计效率，减小整机电路板的成本，提高产品性价比。
附图说明
[0016]图1为本专利技术的整体结构示意图。
[0017]图2为本专利技术第一实施例的电路原理示意图。
[0018]图3为本专利技术第二实施例的电路原理示意图。
具体实施方式
[0019]下面结合实施例对本专利技术做进一步的描述。
[0020]以下实施例用于说明本专利技术，但不能用来限制本专利技术的保护范围。实施例中的条件可以根据具体条件做进一步的调整，在本专利技术的构思前提下对本专利技术的方法简单改进都属于本专利技术要求保护的范围。
[0021]如图1所示，一种集成式多路可控硅，其包括引线框架，所述引线框架内设置有底板1，所述底板1上焊接有两个以上的可控硅芯片2，所述可控硅芯片的第一极均与底板1电性连接，所述底板1同时作为引线框架的第一极对外引脚。
[0022]所述可控硅芯片的第二极4分别通过内部引线6与引线框架的第二极对外引脚7电性连接；所述可控硅芯片的控制极3分别通过内部引线6与引线框架的控制极对外引脚5电性连接。
实施例1
[0023]选用的可控硅芯片为单向可控硅时，所述可控硅芯片的第一极为阴极，第二极为阳极；并且所述可控硅芯片的背部为阴极，正面为控制极和阳极共面。
[0024]当可控硅芯片的数量为2个，其电路原理图如图2所示。
实施例2
[0025]选用的可控硅芯片为双向可控硅时，所述可控硅芯片的第一极为第一阳极，第二极为第二阳极；并且所述可控硅芯片的背部为第一阳极，正面为控制极和第二阳极共面。
[0026]当可控硅芯片的数量为2个，其电路原理图如图3所示。
[0027]尽管已经出示和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成式多路可控硅，其特征在于：其包括引线框架，所述引线框架内设置有底板，所述底板上焊接有两个以上的可控硅芯片，所述可控硅芯片的第一极均与底板电性连接，所述底板同时作为引线框架的第一极对外引脚；所述可控硅芯片的第二极分别通过内部引线与引线框架的第二极对外引脚电性连接；所述可控硅芯片的控制极分别通过内部引线与引线框架的控制极对外引脚电性连接。2.根据权利要求1所述的一种集成式多路可控硅，其特征在于：所述可控硅芯片为单向可控硅时，所述可控硅芯片的第一极为阴极，第二极为阳极。3.根据权利要求1所述的一种集成式多路可控硅，其特征在于：所述可控硅芯片为单向可控硅时，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张正荣，颜呈祥，朱法扬，
申请(专利权)人：江苏捷捷微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：