用于处理基板的方法、用于生产半导体芯片的方法和用于生产具有树脂粘结剂层的半导体芯片的方法技术

公开一种用于处理基板的方法，通过该方法用于利用等离子处理蚀刻的掩膜可以低成本地形成。还公开一种用于生产半导体芯片的方法。当用于其中半导体晶片(1)通过使用等离子处理的蚀刻分成分离的半导体芯片(1e)的等离子切割的掩膜形成时，由液体排斥膜(3)组成的液体排斥图案通过施加液体排斥液体到后表面(1b)的区域而形成，所述区域为蚀刻的对象。此后，首先低粘度树脂(4a)然后高粘度树脂(4b)供应到设置有液体排斥图案的后表面(1b)，从而在其中没有液体排斥膜(3)的区域形成树脂膜(4)，该树脂膜具有比液体排斥膜(3)更大的膜厚度。然后，树脂膜(4)被熟化，从而形成掩膜(4*)，该掩膜(4*)覆盖不同于通过蚀刻被移除区域的区域。结果，用于蚀刻的掩膜可以低成本地形成而不用高成本方法例如照相平版方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于部分地去除基板例如半导体片的基板处理方法、该基板处理方法应用到其中的半导体芯片制造方法和背部有树脂粘结剂层的半导体芯片制造方法。
技术介绍
待安装在电子设备的基板上的半导体器件是通过从半导体晶片将由离散的半导体器件所组成的半导体芯片切割为若干件而进行制造，其中集成电路制造在晶片状态下的各离散的半导体器件中。最近，由于半导体芯片的厚度的缩小所导致处理半导体芯片的难度系数增大，已经提出等离子切割，其用于通过等离子蚀刻将半导体晶片切割为若干件半导体芯片。等离子切割是通过等离子蚀刻半导体晶片，同时半导体晶片除了示出栅格状裂口位置的刻划线之外通过抗蚀膜掩盖，从而沿着刻划线切割半导体晶片。因此，等离子切割需要在半导体晶片上形成掩膜的步骤。在此以前，掩膜通过利用感光材料转印刻划线图案的照相平版(见专利文献1)制造，或者通过用于削除在掩膜层上的刻划线区域的方法(见专利文献2、进行制造，其中所述掩膜层通过照射激光束以产生掩膜而形成在半导体晶片的表面上。<相关现有技术文献><专利文献>专利文献1 JP-A-2004-172364专利文献2 JP-A-2005-191039
技术实现思路
<本专利技术要解决的技术问题>但是，前面的相关现有技术的例子遇到掩膜形成引发高成本消耗的问题。具体地， 照相平版技术原来设计用于高精度图案，例如集成电路，并要求复杂的步骤和昂贵的设施， 其不可避免地引起成本上升。通过利用激光束形成掩膜必然需要用于激光束照射的设施成本，其在以低成本形成掩膜上具有困难。关于掩膜形成的问题并不仅限于等离子切割，并且对于各种利用等离子蚀刻的应用的处理操作，例如，在基板上形成通孔的处理，用于使用 MEMS (微机电系统)的基板处理以及用于在透明显示面板上制造集成电路的基板处理方法等，同样如此。相应地，本专利技术致力于提供一种基板处理方法，其使得能够便宜地形成用于利用等离子工艺蚀刻的掩膜，利用基板处理方法的应用的半导体芯片制造方法，和背部有树脂粘结剂层的半导体芯片的制造方法。<解决技术问题的技术手段>本专利技术的基板处理方法涉及一种用于通过利用等离子处理的蚀刻部分地去除基板的基板处理方法，所述方法包括疏液图案形成步骤，其印刷疏液液体到在基板的处理目标表面上待被蚀刻去掉的区域，从而形成疏液图案；树脂膜形成步骤，其制备两种类型的液体，或者至少包括溶剂和树脂的第一液体和粘度低于所述第一液体的粘度的第二液体，并按照先第二液体后第一液体的顺序供应液体在基板的形成疏液图案的处理目标表面上，从而在没有形成疏液图案的区域中形成比疏液图案更厚的树脂膜；掩膜形成步骤，其熟化(curing)树脂膜，从而在处理目标表面上形成用于覆盖除了待被蚀刻去掉的区域之外的区域的掩膜；疏液图案移除步骤，其在实施与掩膜形成步骤有关的处理后从处理目标表面移除疏液图案；蚀刻步骤，其在关于疏液图案移除步骤的处理之后利用等离子处理从处理目标表面蚀刻基板；和掩膜移除步骤，其在完成关于蚀刻步骤的处理之后从处理目标表面移除掩膜。本专利技术的半导体芯片制造方法涉及一种用于通过利用等离子处理的蚀刻方法分离半导体晶片为由各半导体器件组成的半导体芯片的半导体芯片制造方法，其中该半导体晶片在电路制造表面上具有多个半导体器件并且附着有用于保护所述电路制造表面的保护片，所述方法包括疏液图案形成步骤，其印刷疏液液体在用作作为电路制造表面的另一侧的半导体晶片的处理目标表面上的半导体芯片之间的边界的刻划线上，从而形成疏液图案；树脂膜形成步骤，其制备两种类型的液体，或者至少包括溶剂和树脂的第一液体和其粘度低于第一液体的粘度的第二液体，并按照先第二液体后第一液体的顺序供应所述液体在疏液图案形成在其上的基板的处理目标表面上，从而在没有形成疏液图案的区域中形成厚度比疏液图案更厚的树脂膜；掩膜形成步骤，其熟化树脂膜，从而在处理目标表面上形成用于覆盖除了待被蚀刻去掉的区域之外的区域的掩膜；疏液图案移除步骤，其在执行关于掩膜形成步骤的处理之后从处理目标表面移除疏液图案；蚀刻步骤，其在关于疏液图案移除步骤的处理之后，从处理目标表面蚀刻半导体晶片直到保护片在处理目标表面上露出；和掩膜移除步骤，其在完成关于蚀刻步骤的处理后从处理目标表面移除掩膜。本专利技术的背部有树脂粘结剂层的半导体芯片制造方法涉及一种用于制造在后表面上具有用于芯片接合(die-bonding)目的的树脂粘结剂层的半导体芯片的背部有树脂粘结剂层的半导体芯片制造方法，该方法利用了用于通过使用等离子处理的蚀刻将半导体晶片分离为各半导体器件的等离子切割，所述半导体晶片在电路制造表面上具有多个半导体器件并且附着有用于保护电路制造表面的保护片，所述方法包括疏液图案形成步骤，其印刷疏液液体在用作作为半导体晶片的电路制造表面的另一侧的后表面上的半导体芯片之间的边界的刻划线上，从而形成疏液图案；树脂膜形成步骤，其制备两种类型的液体，或者至少包括溶剂和树脂的第一液体和其粘度低于第一液体的粘度的第二液体，并按照先第二液体后第一液体的顺序供应所述液体在疏液图案形成在其上的基板的处理目标表面上，从而在没有形成疏液图案的区域中形成厚度比疏液图案更厚的树脂膜；树脂粘结剂层形成步骤，其半熟化树脂膜，从而形成树脂粘结剂层；疏液图案移除步骤，其在执行关于树脂粘结剂层形成步骤的处理后从后表面移除疏液图案；和蚀刻步骤，其在执行关于疏液图案移除步骤的处理后从其后表面蚀刻半导体晶片，同时树脂粘结剂层用作掩膜直到保护片在后表面上露出来。〈本专利技术的优点〉根据本专利技术，在通过利用等离子处理的蚀刻实施的掩膜形成过程中，采用一种方法，该方法包括在处理目标表面上待蚀刻的区域中印刷疏液液体，从而形成疏液图案；制备两种类型的液体，即，至少包括溶剂和树脂的第一液体和其粘度低于第一液体的粘度的第二液体；按照先第二液体后第一液体的顺序供应液体到疏液图案已经形成在其上的基板的处理目标表面，从而在没有形成疏液图案的区域形成比疏液图案更厚的树脂膜；和熟化树脂膜，从而形成覆盖半导体晶片的除了待蚀刻的区域之外的区域的掩膜。这样，利用等离子处理用于蚀刻的掩膜可以低成本地形成，而不用高成本方法，如照相平版。进一步，根据本专利技术，在用于通过利用等离子处理的蚀刻分离半导体晶片为由各半导体器件形成的半导体芯片的半导体芯片制造过程中，采用一方法，该方法包括在处理目标表面上待蚀刻的区域中印刷疏液液体，从而形成疏液图案；制备两种类型的液体，即， 至少包括溶剂和树脂的第一液体和其粘度低于第一液体的粘度的第二液体；按照先第二液体后第一液体的顺序供应液体到疏液图案已经形成在其上的基板的处理目标表面，从而在没有形成疏液图案的区域形成比疏液图案更厚的树脂膜；和熟化树脂膜，从而形成覆盖半导体晶片的除了待蚀刻的区域之外的区域的掩膜。这样，用于利用等离子处理蚀刻的掩膜可以低成本地形成，以使得半导体芯片可以低成本地制造。而且，根据本专利技术，在用于通过利用等离子处理的蚀刻分离半导体晶片为由各半导体器件形成的具有树脂粘结剂层的半导体芯片的半导体芯片制造过程中，采用一种方法，该方法包括在作为半导体晶片的电路制造表面的另一侧面的后表面上的作为半导体芯片之间的边界的刻划线上印刷疏液液体，从而形成疏液图案；制备两本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：有田洁，土师宏，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：