一种p型导电氧化锌薄膜材料及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种p型导电氧化锌薄膜材料，其包括衬底及生长于衬底上的外延层，自衬底至外延层之间依次设有金属镁层、氧化镁层、生长温度逐渐升高的第一氧化锌层与第二氧化锌层；外延层为在氧化锌合金中掺入受主元素B和掺入A原子形成的p型AZnO:B层。本发明专利技术p型导电氧化锌薄膜材料及制备方法的优点在于引入A原子形成AZnO合金，然后掺杂受主元素B来实现ZnO稳定、高载流子浓度的空穴导电。本发明专利技术中，引入的A原子会占据Zn原子位置，A原子同受主原子B成键以后，由于A-B键能相对于Zn-B非常强，A原子能够有效地抓住受主B原子，避免ZnO直接掺杂受主B原子中Zn-B键断裂而带来的不稳定；同时，A的引入也提高了受主原子B的掺杂浓度，从而保证了高浓度、稳定的空穴导电。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及纳米材料
，特别涉及一种P型导电氧化锌薄膜材料及制备方法。
技术介绍
因具有大的禁带宽度和大的激子束缚能，ZnO能够实现室温下激子复合发光。该方式具有量子效率高和低阈值优点，故ZnO被认为是下一代光电器件的首选材料。由于本征SiO内晶体缺陷以及非故意掺杂，致使本征ZnO呈现为η型导电。目前制约ZnO应用于半导体光电器件的主要原因是不能实现稳定、高载流子浓度的P型导电。目前，实现SiO ρ型导电的方法主要有以下四种方式第一，ZnO直接掺杂V族元素Ν、Ρ或As，V族元素占据0的位置N。而呈现出受主。N在 SiO中固溶度非常低，主要是因为SiO中N的掺杂会引起材料的马德隆值升高；另外，Zn-N 键能比较弱，容易断裂，N。很容易形成(N2)。，而(N2)。在SiO中是施主，可提供两个电子；再者，P与As在SiO中是深受主，在非常大的掺杂浓度下也难以形成高空穴浓度。第二，ZnO直接掺杂I族元素Li、Na或K，I族元素占据Si的位置而呈现出受主。 Li掺杂SiO中后，Li原子会占据Si的位置Lizn,形成受主；但是，由于Li原子直径非常小， Li原子除了替代Si原子位置外，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汤子康，陈明明，苏龙兴，张权林，祝渊，吴天准，桂许春，项荣，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：