本发明专利技术公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板100W-10dB衰减片，其包括一氮化铝基板，氮化铝基板的背面印刷有导体层，氮化铝基板的正面印刷有数个电阻及银浆导线，银浆导线连接电阻形成衰减电路，电阻上印刷有玻璃保护膜。该大功率氮化铝陶瓷基板100W-10dB衰减片增大了电阻面积，使得衰减片的抗高低温冲击性能增加，使产品性能指标符合要求。同时避免了在输出端焊接引线时高温对电阻淬伤，避免了因电阻被淬伤在实际使用过程中会坏掉的风险，改善了电路的设计，使得衰减精度达到了3G以内10±1dB，驻波满足市场要求，从而使得产品可以应用于3G网络。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种氮化铝陶瓷衰减片，特别涉及一种大功率氮化铝陶瓷基板 IOOff-IOdB 衰减片。
技术介绍
目前大多数通讯基站都是应用大功率陶瓷负载片来吸收通信部件中反向输入功率，大功率陶瓷负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而无法对基站的工作状况做实时的监控，当基站工作发生故障时无法及时地做出判断，并对设备没有保护作用。衰减片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向输入的功率，而且能够抽取通信部件中部分信号，对基站进行实时监控，对设备有保护作用，但目前国内100W-20dB的氮化铝陶瓷衰减片，其衰减精度不仅大多只能做到IG频率以内，少数能做到2G，且衰减精度和设备配备的VSWR较难控制，市场对衰减精度的要求比较高，，当衰减精度达不到要求时或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。当频段高于2G时，国内的衰减片，其衰减精度更将满足不了要求。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。目前市场上的衰减片当使用频段高于2G时，其衰减精度达不到要求，回波损耗变大，满足不了 2G以上的频段应用要求。出现上述问题主要是因为国内 IOOff-IOdB衰减片的设计原因，并且抗高低温冲击性能差。当完成高低温冲击实验后，阻抗和衰减精度偏出了实际要求的范围，这样就使的衰减精度满足不了要求。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本专利技术要解决的技术问题是提供一种衰减精度高，能在3G频段内使用大功率氮化铝陶瓷基板IOOW-IOdB衰减片。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案一种大功率氮化铝陶瓷基板IOOW-IOdB衰减片，其包括一氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有导体层，所述氮化铝基板的正面印刷有数个电阻及银浆导线，所述银浆导线连接所述电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。优选的，所述银浆导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。优选的，所述导体层由印刷银浆印刷而成。优选的，所述衰减电路采用TT型电路结构。优选的，所述银浆导线与所述导体层通过低温银浆连接。上述技术方案具有如下有益效果该大功率氮化铝陶瓷基板IOOW-IOdB衰减片增大了电阻面积，这样使得衰减片的抗高低温冲击性能增加，使产品性能指标符合要求。同时避免了在输出端焊接引线时高温对电阻淬伤，避免了因电阻被淬伤在实际使用过程中会坏掉的风险，改善了电路的设计，使得衰减精度达到了 3G以内10 士 ldB，驻波满足市场要求， 从而使得产品可以应用于3G网络。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段， 并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。 本专利技术的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。附图说明图1为本专利技术实施例正面的结构示意图。图2为本专利技术实施例背面的结构示意图。图3为本专利技术实施例正面与背面连接的结构示意图。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术的优选实施例进行详细介绍。如图1、2所示，该大功率氮化铝陶瓷基板IOOW-IOdB衰减片包括一氮化铝基板1， 氮化铝基板1的背面印刷有导体层5，导体层由印刷银浆印刷而成。氮化铝基板1的正面印刷有电阻R1、R2、R3、R4、R5及银浆导线2，银浆导线2将电阻R1、R2、R3、R4、R5连接起来形成一 TT型结构的衰减电路，电阻R1、R2、R3、R4、R5上均印刷有玻璃保护膜3，玻璃保护膜3 用于保护电阻Rl、R2、R3、R4、R5。在整个电路即银浆导线2及玻璃保护膜3的上表面还印刷有一层黑色保护膜4，黑色保护膜4可对整个电路进行包括，黑色保护膜4上还可印刷品牌和型号。如图3所示，银浆导线2与导体层5通过接地银浆6连接，这样整个电路即可导ο该大功率氮化铝陶瓷基板IOOW-IOdB衰减片要求输入端和接地的阻抗为 50 士 1. 5 Ω，输出端和接地端的阻抗为50 士 1. 5Ω。信号从输入端进入衰减片，经过电阻R1， R2，R5，R3，R4对功率的逐步吸收，使输出端输出实际所需要的信号。该大功率氮化铝陶瓷基板IOOW-IOdB衰减片增大了 R3、R4面积，并且使电阻R3、R4 和输出端空出一段距离，这样使得衰减片的抗高低温冲击性能增力卩，使产品性能指标符合要求。同时避免了在输出端焊接引线时高温对电阻淬伤，避免了因电阻被淬伤在实际使用过程中会坏掉的风险，改善了电路的设计，改善了电路的设计，使得衰减精度达到了 3G以内10士 ldB，驻波满足市场要求，从而使得产品可以应用于3G网络。以上对本专利技术实施例所提供的一种大功率氮化铝陶瓷基板IOOW-IOdB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本专利技术实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本专利技术的限制，凡依本专利技术设计思想所做的任何改变都在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.一种大功率氮化铝陶瓷基板IOOW-IOdB衰减片，其特征在于其包括一氮化铝基板， 所述氮化铝基板的背面印刷有导体层，所述氮化铝基板的正面印刷有数个电阻及银浆导线，所述银浆导线连接所述电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。2.根据权利要求1所述的大功率氮化铝陶瓷基板IOOW-IOdB衰减片，其特征在于所述银浆导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。3.根据权利要求1所述的大功率氮化铝陶瓷基板IOOW-IOdB衰减片，其特征在于所述导体层由印刷银浆印刷而成。4.根据权利要求1所述的大功率氮化铝陶瓷基板IOOW-IOdB衰减片，其特征在于所述衰减电路采用TT型电路结构。5.根据权利要求1所述的大功率氮化铝陶瓷基板IOOW-IOdB衰减片，其特征在于所述银浆导线与所述导体层通过接地银浆连接。全文摘要本专利技术公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板100W-10dB衰减片，其包括一氮化铝基板，氮化铝基板的背面印刷有导体层，氮化铝基板的正面印刷有数个电阻及银浆导线，银浆导线连接电阻形成衰减电路，电阻上印刷有玻璃保护膜。该大功率氮化铝陶瓷基板100W-10dB衰减片增大了电阻面积，使得衰减片的抗高低温冲击性能增加，使产品性能指标符合要求。同时避免了在输出端焊接引线时高温对电阻淬伤，避免了因电阻被淬伤在实际使用过程中会坏掉的风险，改善了电路的设计，使得衰减精度达到了3G以内10±1dB，驻波满足市场要求，从而使得产品可以应用于3G网络。文档编号H01P1/22GK102361120SQ20111026467公开日2012年2月22日 申请日期2011年9月8日 优先权日2011年9月8日专利技术者郝敏 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种大功率氮化铝陶瓷基板１００Ｗ－１０ｄＢ衰减片，其特征在于：其包括一氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有导体层，所述氮化铝基板的正面印刷有数个电阻及银浆导线，所述银浆导线连接所述电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郝敏，
申请(专利权)人：苏州市新诚氏电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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