本发明专利技术公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片，其包括一9.55*6.35*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有玻璃保护膜，所述玻璃保护膜及导线上印刷有第一黑色保护膜，所述第一黑色保护膜上印刷有一介质层。该衰减片在第一黑色保护膜上加印了一层介质层，这样能够有效的改善衰减片的衰减精度，使得该衰减片能够满足目前3G网络的应用要求且能够承受150瓦的功率的技术要求。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉一种大功率氮化铝陶瓷基板衰减片，特别涉及一种大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB的衰减片。
技术介绍
目前大多数通讯基站都是应用大功率陶瓷负载片来吸收通信部件中反向输入功率，大功率陶瓷负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而无法对基站的工作状况做实时的监控，当基站工作发生故障时无法及时地作出判断，对设备没有有保护作用。而衰减片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向输入的功率，而且能够抽取通信部件中部分信号，对基站进行实时监控，从而对设备形成有效保护。衰减片作为一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说其应与两端电路都是匹配的。目前国内150W-30dB的氮化铝陶瓷衰减片，其衰减精度不仅大多只能做到 IG频率以内，少数能做到2G，且衰减精度和设备配备的VSWR较难控制，输出端得到的信号不符合实际要求。特别是在衰减片使用频段高于2G时，其衰减精度往往达不到要求，回波损耗变大，满足不了 2G以上的频段应用要求。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本专利技术要解决的技术问题是提供一种阻抗满足 50士 1. 5 Ω，在3G频段以内衰减精度为30士 ldB，驻波要求在3G频段输入端为1. 2以内，输出端为1. 25以内，能够满足目前3G网络的应用要求且能够承受150瓦的功率的大功率氮化铝陶瓷基板衰减片。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案一种大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片，其特征在于其包括一 9. 55*6. 35*1MM的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。优选的，所述玻璃保护膜及导线上印刷有第一黑色保护膜，所述第一黑色保护膜上印刷有一介质层，所述介质层上印刷有第二黑色保护膜。优选的，所述背导层、导线由导电银浆印刷而成，所述电阻由电阻浆料印刷而成。上述技术方案具有如下有益效果该衰减片以9. 55*6. 35*1MM的氮化铝基板作为基准，在第一黑色保护膜上加印了一层介质层，这样能够有效的改善衰减片的衰减精度，使得该衰减片在上述氮化铝基板的尺寸规格下可到达阻抗50士 1. 5 Ω，在3G频段以内衰减精度为30 士 ldB，驻波要求在3G频段输入端为1.2以内，输出端为1.25以内，能够满足目前 3G网络的应用要求且能够承受150瓦的功率的技术要求，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络，填补了国内不能生产150瓦30dB衰减片的空白。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段， 并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。 本专利技术的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。附图说明图1为本专利技术实施例的结构示意图。 具体实施例方式下面结合附图对本专利技术的优选实施例进行详细介绍。如图1所示，该大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片包括一 9. 55*6. 35*1MM 的氮化铝基板1，氮化铝基板1的背面印刷有背导层，氮化铝基板1的正面印刷有导线2及电阻Rl、R2、R3、R4及R5，导线2连接上述电阻Rl、R2、R3、R4、R5形成衰减电路，衰减电路的接地端通过银浆与背导层电连接，从而使衰减电路导通。背导层、导线由导电银浆印刷而成，所述电阻由电阻浆料印刷而成。在电阻上R1、R2、R3、R4、R5印刷有玻璃保护膜3，玻璃保护膜3及导线2上印刷有第一黑色保护膜4，第一黑色保护膜4上印刷有一介质层5。介质层5上印刷有第二黑色保护膜，第二黑色保护膜上可印刷品牌和型号。第一黑色保护膜、第二黑色保护膜可对衰减电路起到双重保护的作用。该衰减片输入端和接地的阻抗为50士1.5Ω，输出端和接地端的阻抗为 50士 1. 5Ω。信号从输入端进入衰减片，从输出端经过1 1、1 2、1 5、1 3、1 4对功率的逐步吸收， 从输出端输出实际所需要的信号。该衰减片以9. 55*6. 35*1MM的氮化铝基板作为基准，在第一黑色保护膜上加印了一层介质层，这样能够有效的改善衰减片的衰减精度，同时采用该结构可增大电阻R3，R4 的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，进而避免了在输出端焊接引线时高温对电阻的淬伤而坏掉的风险。使得该衰减片在上述氮化铝基板的尺寸规格(9. 55*6. 35*1MM)下可到达阻抗50 士1. 5 Ω，在3G频段以内衰减精度为30 士 IdB，驻波要求在3G频段输入端为1. 2 以内，输出端为1. 25以内，能够满足目前3G网络的应用要求且能够承受150瓦的功率的技术要求，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络，填补了国内不能生产150瓦30dB衰减片的空白。以上对本专利技术实施例所提供的一种大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本专利技术实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本专利技术的限制，凡依本专利技术设计思想所做的任何改变都在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.一种大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片，其特征在于其包括一 9. 55*6. 35*1MM的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。2.根据权利要求1所述的大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片，其特征在于所述玻璃保护膜及导线上印刷有第一黑色保护膜，所述第一黑色保护膜上印刷有一介质层， 所述介质层上印刷有第二黑色保护膜。3.根据权利要求1所述的大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片，其特征在于所述背导层、导线由导电银浆印刷而成，所述电阻由电阻浆料印刷而成。全文摘要本专利技术公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片，其包括一9.55*6.35*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有玻璃保护膜，所述玻璃保护膜及导线上印刷有第一黑色保护膜，所述第一黑色保护膜上印刷有一介质层。该衰减片在第一黑色保护膜上加印了一层介质层，这样能够有效的改善衰减片的衰减精度，使得该衰减片能够满足目前3G网络的应用要求且能够承受150瓦的功率的技术要求。文档编号H01P1/22GK102332630SQ20111020565公开日2012年1月25日 申请日期2011年7月22日 优先权日2011年7月22日专利技术者郝敏 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种大功率氮化铝陶瓷基板１５０瓦３０ｄＢ衰减片，其特征在于：其包括一９．５５＊６．３５＊１ＭＭ的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郝敏，
申请(专利权)人：苏州市新诚氏电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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