本发明专利技术公开了一种阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片，其包括一8.7*5.9*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的正面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻横向布置。该阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片的电阻横向布置，这样在设计时可对电阻进行拉长，从而增加电阻的面积，优化电路的设计，使原来只能承受100瓦尺寸为8.7*5.9*1mm基板上能承受150瓦的功率，同时也可使负载片在特性方面满足实际应用的要求，使其具有良好的VSWR性能，能够更好的与设备进行匹配。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉一种氮化铝陶瓷基板负载片，特别涉及一种阻抗为50 Ω大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片。
技术介绍
氮化铝陶瓷基板负载片主要用于在通信基站中吸收通信部件中反向输入的功率， 如果不能承受要求的功率，负载就会烧坏，可能导致整个设备烧坏。目前大多数通讯基站都是应用大功率陶瓷负载片来吸收通信部件中反向输入功率，要求基本的尺寸越来越小，而需要吸收的功率越来越大。目前国内功率能达到150瓦负载片一种是选用BeO材料，这种材料是有毒的，在生产过程中很容易对环境造成污染，对生产人员的身体健康带来一定的危害。另一种是使用较大尺寸的氮化铝基板(基板尺寸为9. 55*6. 35*lmm)，这种大尺寸的氮化铝基板并不满足通行基站小型化的要求。目前国内氮化铝基板在8. 7*5. 9*lmm的尺寸上只能做出能承受 100W功率的负载片。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本专利技术要解决的技术问题是提供一种可在 8. 7*5. 9*lmm基板上承载150W功率的负载片。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案一种阻抗为50 Ω大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片，其包括一 8. 7*5. 9*lmm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的正面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接， 所述电阻横向布置。优选的，所述负载电路的焊盘上设有镀金层。优选的，所述电阻上印刷有玻璃保护膜，所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。优选的，所述背导层及导线由导电银浆印刷而成，所述电阻由电阻浆料印刷而成。上述技术方案具有如下有益效果该阻抗为50 Ω大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片的电阻横向布置，这样在设计时可对电阻进行拉长，从而增加电阻的面积，优化电路的设计，使原来只能承受100瓦尺寸为8. 7*5. 9*lmm基板上能承受150瓦的功率，同时也可使负载片在特性方面满足实际应用的要求，使其具有良好的VSWR性能，能够更好的与设备进行匹配。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段， 并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。 本专利技术的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。附图说明图1为本专利技术实施例的结构示意图。 具体实施例方式下面结合附图对本专利技术的优选实施例进行详细介绍。如图1所示，该阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片包括一 8. 7*5. 9*lmm的氮化铝基板1，氮化铝基板1的背面印刷有背导层，氮化铝基板的正面印刷有导线2及电阻3，电阻3横向布置.电阻3通过导线2连接形成负载电路，负载电路的接地端与背导层通过银浆电连接，这样即可使负载电路接地形成回路。电阻3上印刷有玻璃保护膜4，导线2及玻璃保护膜4的上表面还印刷有一层黑色保护膜5，这样可对导线2、电阻3及玻璃保护膜4形成有效保护。背导层及导线由导电银浆印刷而成，所述电阻由电阻浆料印刷而成。负载电路上设有与引线焊接的焊盘，焊盘上设有镀金层。该阻抗为50 Ω大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片的电阻横向布置，这样在设计时可对电阻进行拉长，从而增加电阻的面积，优化电路的设计，使原来只能承受100瓦尺寸为8. 7*5. 9*lmm基板上能承受150瓦的功率，同时也可使负载片在特性方面满足实际应用的要求，使其具有良好的VSWR性能，能够更好的与设备进行匹配。焊盘上设有镀金层，这样可保证在回流焊工艺中用弱碱性清洁剂对负载片进行清洁不会对焊接效果造成不利影响。以上对本专利技术实施例所提供的一种阻抗为50 Ω大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本专利技术实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本专利技术的限制， 凡依本专利技术设计思想所做的任何改变都在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.一种阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片，其特征在于其包括一 8. 7*5. 9*lmm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的正面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻横向布置。2.根据权利要求1所述的阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片，其特征在于所述负载电路的焊盘上设有镀金层。3.根据权利要求1所述的阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片，其特征在于所述电阻上印刷有玻璃保护膜，所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。4.根据权利要求1所述的阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片，其特征在于所述背导层及导线由导电银浆印刷而成，所述电阻由电阻浆料印刷而成。全文摘要本专利技术公开了一种阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片，其包括一8.7*5.9*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的正面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻横向布置。该阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片的电阻横向布置，这样在设计时可对电阻进行拉长，从而增加电阻的面积，优化电路的设计，使原来只能承受100瓦尺寸为8.7*5.9*1mm基板上能承受150瓦的功率，同时也可使负载片在特性方面满足实际应用的要求，使其具有良好的VSWR性能，能够更好的与设备进行匹配。文档编号H01P1/22GK102332626SQ20111020563公开日2012年1月25日 申请日期2011年7月22日 优先权日2011年7月22日专利技术者郝敏 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种阻抗为５０Ω大功率氮化铝陶瓷基板１５０瓦负载片，其特征在于：其包括一８．７＊５．９＊１ｍｍ的氮化铝基板，所述氮化铝基板的正面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻横向布置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郝敏，
申请(专利权)人：苏州市新诚氏电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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