小型陶瓷10瓦16dB衰减片制造技术

本发明专利技术公开了一种小型陶瓷10瓦16dB衰减片，其包括一氮化铝陶瓷基片，氮化铝陶瓷基片的尺寸为5mm×2.5mm×0.635mm,氮化铝陶瓷基片的背面印刷有高温银浆，氮化铝陶瓷基片的正面印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线两端分别连接两个长方形的焊盘，银浆导线之间的5个电阻形成衰减电路。该小型陶瓷10瓦16dB衰减片采用高导热率氮化铝陶瓷作为基片材料，在相同尺寸的功率容量上大大优于氧化铝陶瓷材料，且替代了有毒的氧化铍陶瓷材料，缩减了尺寸满足小型化要求的同时使得产品更环保，同时引进了MWO仿真软件对电路的设计，使得衰减精度得到了提高，并有效控制了产品的回波损耗，获得了更小的驻波比，拓宽了此产品的使用带宽，适用DC-3G全频段，满足了目前的4G网络使用要求。

【技术实现步骤摘要】
小型陶瓷10瓦16dB衰减片
本专利技术涉及一种陶瓷衰减片，特别涉及一种小型陶瓷10瓦16dB衰减片。
技术介绍
目前集成了多个膜状电阻为一体，通过电阻及线路不同设计的衰减片广泛应用于雷达，卫星通讯，电子对抗等军事工业和移动电话、PCS和商用基站市场领域。使用负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而使用衰减片在吸收反向输入的功率同时还能抽取需要的信号进行分析，并在高频电路上调整功率电平，去耦，对相关设备起到了保护作用。 在国外，特别是欧美国家，对衰减片和负载片研发生产都要比国内起步早很多，无论在产品的丰富性还是产品微波特性上都处于比较优势地位。同时国内市场上现有的衰减片系列少，衰减精度低，且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本专利技术要解决的技术问题是提供一种阻值满足52.5 Ω ±3%，在3G频段以内衰减精度为16±0.6dB，驻波要求输入、输出端在1.15以内，能够满足目前4G网络的应用要求的小型陶瓷10瓦16dB衰减片，取代国外同类产品，并在特性上填补国内产品的空白。 为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案:一种小型陶瓷10瓦16dB衰减片，包括一氮化铝陶瓷基片，氮化铝陶瓷基片的尺寸为5mmX2.5mmX0.635mm,氮化铝陶瓷基片的背面印刷有高温银浆，氮化铝陶瓷基片的正面印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线两端分别连接两个长方形的焊盘，银浆导线之间的5个电阻形成衰减电路。该小型陶瓷10瓦16dB衰减片采用高导热率氮化铝陶瓷作为基片材料，在相同尺寸的功率容量上大大优于氧化铝陶瓷材料，且替代了有毒的氧化铍陶瓷材料，缩减了尺寸满足小型化要求的同时使得产品更环保，同时引进了 MWO仿真软件对电路的设计，使得衰减精度得到了提高，并有效控制了产品的回波损耗，获得了更小的驻波t匕，拓宽了此产品的使用带宽，适用DC-3G全频段，满足了目前的4G网络使用要求。 优选的，所述衰减电路在设计上引入了 MWO仿真软件技术，优化了电路结构。 优选的，所述陶瓷基片材料采用了环保高导热率氮化铝陶瓷材料。 优选的，所述电阻上层有高温烧结的玻璃相保护膜。 上述技术方案具有如下有益效果:该小型陶瓷10瓦16dB衰减片采用高导热率氮化铝陶瓷作为基片材料，在相同尺寸的功率容量上大大优于氧化铝陶瓷材料，且替代了有毒的氧化铍陶瓷材料，缩减了尺寸满足小型化要求的同时使得产品更环保，同时引进了 MWO仿真软件对电路的设计，使得衰减精度得到了提高，并有效控制了产品的回波损耗，获得了更小的驻波比，拓宽了此产品的使用带宽，适用DC-3G全频段，满足了目前的4G网络使用要求。 上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本专利技术的【具体实施方式】由以下实施例及其附图详细给出。 【附图说明】 图1为本专利技术实施例的结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图对本专利技术的优选实施例进行详细介绍。 如图1所示，该小型陶瓷10瓦16dB衰减片，包括一尺寸为5mmX 2.5mmX0.635mm高导热氮化铝陶瓷基板1，氮化铝陶瓷基板I的背面印刷有银浆，氮化铝陶瓷基板I的正面印刷有银浆导线2及膜状电阻Rl、R2、R3，R4、R5，膜状电阻Rl、R2、R3、R4、R5通过银浆导线连接形成衰减电路，衰减电路通过端涂银浆与背部银浆层连接，从而使衰减电路形成通路。该衰减电路沿陶瓷基板的中心线对称，膜状电阻Rl、R2、R3、R4、R5上印刷有玻璃相保护膜3，银浆导线2及玻璃相3的上表面还印刷有一层黑色保护膜4，这样可对银浆导线2及膜状电阻R1、R2、R3、R4、R5形成保护。 该小型陶瓷10瓦16dB衰减片要求输入端和接地的阻值为52.5 Ω ±3%，输出端和接地端的阻值为52.5 Ω ±3%。信号从输入端进入衰减片，经过5个黑色膜状电阻Rl、R2、R5、R3、R4对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号。 该小型陶瓷10瓦16dB衰减片采用高导热率氮化铝陶瓷作为基片材料，在相同尺寸的功率容量上大大优于氧化铝陶瓷材料，且替代了有毒的氧化铍陶瓷材料，缩减了尺寸满足小型化要求的同时使得产品更环保，同时引进了 MWO仿真软件对电路的设计，使得衰减精度得到了提高，并有效控制了产品的回波损耗，获得了更小的驻波比，拓宽了此产品的使用带宽，适用DC-3G全频段，满足了目前的4G网络使用要求。 以上对本专利技术实施例所提供的一种小型陶瓷10瓦16dB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本专利技术实施例的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本专利技术的限制，凡依本专利技术设计思想所做的任何改变都在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种小型陶瓷10瓦16dB衰减片，其特征在于：包括一氮化铝陶瓷基片，氮化铝陶瓷基片的尺寸为5mm×2.5mm×0.635mm,氮化铝陶瓷基片的背面印刷有高温银浆，氮化铝陶瓷基片的正面印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线两端分别连接两个长方形的焊盘，银浆导线之间的5个电阻形成衰减电路；该小型陶瓷10瓦16dB衰减片采用高导热率氮化铝陶瓷作为基片材料，在相同尺寸的功率容量上大大优于氧化铝陶瓷材料，且替代了有毒的氧化铍陶瓷材料，缩减了尺寸满足小型化要求的同时使得产品更环保，同时引进了MWO仿真软件对电路的设计，使得衰减精度得到了提高，并有效控制了产品的回波损耗，获得了更小的驻波比，拓宽了此产品的使用带宽，适用DC‑3G全频段，满足了目前的4G网络使用要求。

【技术特征摘要】
1.一种小型陶瓷10瓦16dB衰减片，其特征在于:包括一氮化铝陶瓷基片，氮化铝陶瓷基片的尺寸为5mmX2.5mmX0.635mm，氮化铝陶瓷基片的背面印刷有高温银浆，氮化铝陶瓷基片的正面印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线两端分别连接两个长方形的焊盘，银浆导线之间的5个电阻形成衰减电路；该小型陶瓷10瓦16dB衰减片采用高导热率氮化铝陶瓷作为基片材料，在相同尺寸的功率容量上大大优于氧化铝陶瓷材料，且替代了有毒的氧化铍陶瓷材料，缩减了尺寸满足小型化要求的同时使得产品更环保，同时引进了 MWO仿真软件对...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：苏州市新诚氏电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32