高频氮化铝陶瓷10瓦11dB衰减片制造技术

本发明专利技术公开了一种高频氮化铝陶瓷10瓦11dB衰减片，其包括一长5mm、宽2.5mm、厚度1mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及膜状电阻，所述导线连接所述电阻形成典型的π型衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的横向中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的横向中心线对称。该衰减片在案设计上充分考虑了VSWR、衰减值、插损等各项性能指标,高频无感,打破了原来衰减片只能应用于低频的局面,能够满足目前3G网络的应用要求，同时为4G网络做好了准备，并且延伸了10瓦固定电阻式衰减片的系列产品线。

【技术实现步骤摘要】
局频氣化f吕陶瓷10瓦11 dB哀减片
本专利技术涉及一种陶瓷衰减片，特别涉及一种高频氮化铝陶瓷10瓦IldB衰减片。
技术介绍
目前集成了多个膜状电阻为一体，通过电阻及线路不同设计的衰减片广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域。使用负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而使用衰减片在吸收反向输入的功率同时还能抽取需要的信号进行分析，并在高频电路上调整功率电平，去耦，对相关设备起到了保护作用。 在国外，特别是欧美国家，对衰减片和负载片研发生产都要比国内起步早很多，无论在产品的丰富性还是产品微波特性上都处于比较优势地位。同时国内市场上现有的衰减片系列少，衰减精度低，且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本专利技术要解决的技术问题是提供一种阻值满足58.6 Ω ±3%，在3G频段以内衰减精度为11±0.5dB，驻波要求输入、输出端在1.15以内，能够满足目前3G网络的应用要求的高频氮化铝陶瓷10瓦IldB衰减片，取代国外同类产品，并在特性上填补国内产品的空白。 为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案: 一种高频氮化铝陶瓷10瓦IldB衰减片，其特征在于:包括一长5mm、宽2.5mm、厚度Imm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及膜状电阻，所述导线连接所述电阻形成典型的η型衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的横向中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的横向中心线对称。 优选的，所述衰减电路采用π型衰减电路设计。。 优选的，所述导体层由含有玻璃相的高温银浆印刷而成。 上述技术方案具有如下有益效果:该高频氮化铝陶瓷基板10瓦IldB衰减片让衰减电路处于一个完全对称的状态，使得电路的稳定性得到提升，同时客户在使用时不需要刻意的区分输入端和输出端，极大的方便了客户，也减少了客户在生产中因为输入输出端焊接错误导致不良品的产生体现了人性化防呆设计，并兼顾了固定电阻式衰减片的各项指标，增加了功率容量，扩大了产品线的范围，也打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络，填补了国内的空白。同时不同衰减值的系列产品线扩大了使用范围，给市场多种的选择。 上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本专利技术的【具体实施方式】由以下实施例及其附图详细给出。 【附图说明】 图1为本专利技术实施例的结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图对本专利技术的优选实施例进行详细介绍。 如图1所示，该高频氮化铝陶瓷基板10瓦IldB衰减片包括一长5.0mm、宽2.5mm、厚度1.0mm的陶瓷基板1，氮化铝基板I的背面印刷有背导层，氮化铝基板I的正面印刷有导线2及电阻Rl、R2、R3、R4、R5，电阻Rl、R2、R3、R4、R5通过导线连接形成衰减电路，衰减电路通过银浆与背导层电连接，从而使衰减电路接地导通。电阻Rl、R2、R3、R4、R5上印刷有玻璃保护膜3，导线2及玻璃保护膜3的上表面还印刷有一层黑色保护膜4，这样可对导线2及电阻町、1?2、1?3、1?4、1?5形成保护。 该高频氮化铝陶瓷基板10瓦IldB衰减片要求输入端和接地的阻值为58.6 Ω ± 3 %，输出端和接地端的阻值为58.6 Ω ± 3 %。信号输入端进入衰减片，经过膜状电阻Rl、R2、R5、R3、R4对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号。 该高频氮化铝陶瓷基板10瓦IldB衰减片让衰减电路处于一个完全对称的状态，使得电路的稳定性得到提升，同时客户在使用时不需要刻意的区分输入端和输出端，极大的方便了客户，也减少了客户在生产中因为输入输出端焊接错误导致不良品的产生体现了人性化防呆设计，并兼顾了固定电阻式衰减片的各项指标，增加了功率容量，扩大了产品线的范围，也打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络，填补了国内的空白。同时不同衰减值的系列产品线扩大了使用范围，给市场多种的选择。 以上对本专利技术实施例所提供的一种高频氮化铝陶瓷基板10瓦IldB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本专利技术实施例的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本专利技术的限制，凡依本专利技术设计思想所做的任何改变都在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频氮化铝陶瓷10瓦11dB衰减片，其特征在于：包括一长5mm、宽2.5mm、厚度1mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及膜状电阻，所述导线连接所述电阻形成典型的π型衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的横向中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的横向中心线对称。

【技术特征摘要】
1.一种高频氮化铝陶瓷10瓦IldB衰减片，其特征在于:包括一长5mm、宽2.5mm、厚度Imm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及膜状电阻，所述导线连接所述电阻形成典型的η型衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的横向中心线对称，所述衰减电路的...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：苏州市新诚氏电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32