用于存储器器件的软数据生成的方法和装置制造方法及图纸

提供了用于存储器器件的软数据生成的方法和装置。通过获得至少一个硬读取值；并且基于关于读取硬读取值的统计数据数据生成与至少一个硬读取值关联的软数据值，生成了关于存储器器件的至少一个软数据值。硬读取值可以是数据位、电压电平、电流水平和电阻水平中的一个或更多个。所生成的软数据值可以是如下中的一个或更多个：（ｉ）用于生成一个或更多个对数似然比的软读取值；或者（ｉｉ）一个或更多个对数似然比。统计数据数据包括基于位的统计数据数据和基于单元的统计数据数据中的一个或更多个。统计数据数据还可以包括至少一个侵略者单元对目标单元的取决于模式的干扰以及位置特定的统计数据数据。通过获得软读取值；并且基于关于读取软读取值的统计数据数据生成与软读取值关联的软数据值，生成了关于存储器器件的至少一个软数据值，其中统计数据数据包括位置特定的统计数据数据和取决于模式的统计数据数据中的一个或更多个。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及闪速存储器器件，更具体地，涉及改进的软解映射和软数据生成技术，用于减轻这些闪速存储器器件中的单元间干扰、后模式依赖性(back pattern dependency)、噪声和其他失真的影响。
技术介绍
诸如闪速存储器器件的许多存储器器件使用模拟存储器单元来存储数据。每个存储器单元存储诸如电荷或电压的模拟值，其也被称为存储值。存储值表示单元中存储的信息。在闪速存储器器件中，例如，每个模拟存储器单元典型地存储特定的电压。关于每个单元的可能的模拟值的范围典型地被分为多个阈值区，每个区对应于一个或更多个数据位值。通过写入对应于期望的一个或更多个位的额定模拟值来将数据写入模拟存储器单元。单级单元(SLC)闪速存储器器件例如，每个存储器单元存储一个位(或者两个可能的存储器状态)。另一方面，多级单元(MLC)闪速存储器器件在每个存储器单元存储两个或更多个位(即，每个单元具有四个或更多个可编程状态)。对于MLC闪速存储器器件的更详细的讨论，参见例如，在2009年3月11日提交的题为“Methods andApparatus for Storing Data in a Multi-Level Cell Flash Memory Devicewith Cross-Page Sectors, Multi-Page Coding And Per-Page Coding”的国际专利申请PCT/US09/36810号，其通过引用合并于此。在多级NAND闪速存储器器件中，例如，使用浮栅器件，其可编程阈值电压范围被分为多个区间，每个区间对应于不同的多位值。为了将给定多位值编程到存储器单元中，存储器单元中的浮栅器件的阈值电压被编程到对应于该值的阈值电压区间。存储器单元中存储的模拟值常常失真。这些失真典型地归因于例如，后模式依赖性(BPD)、噪声和单元间干扰(ICI)。对于闪速存储器器件中的失真的更详细的讨论， 参见例如，J. D. Lee 等人的"Effects ofFloating-Gate Interference on NAND FlashMemory Cell Operation, “ IEEE Electron Device Letters, 264-266 (2002 ^5^) ■ 者 Ki-Tae Park 等人的"A Zeroing Cell-to-Cell Interference Page Architecture WithTemporary LSB Storing and Parallel MSB Program Scheme for MLCNAND Flash Memories, “ IEEE J. of Solid State Circuits，Vol. 43，No. 4，919-928，(2008 年 4 月)， 它们均通过引用合并于此。已提出或建议了许多用于减轻ICI和其他干扰的影响的技术。例如，Ki-Tae Park等人描述了现有的减轻ICI的编程技术，诸如偶/奇编程、由下而上编程和多级编程。在 2009 年 6 月 30 日提交的题为"Methods and Apparatus for Soft Demapping and Intercell InterferenceMitigation in Flash Memories” 的国际专禾Ij 申请 PCT/ US09/49333公开了闪速存储器中的用于软解映射和干扰减轻的方法和装置。尽管这些现有方法有助于提高闪速存储器的解码性能，但是它们受到许多限制， 如果克服了这些限制，则可以进一步提高闪速存储器的可靠性。例如，当前的闪速存储器典型地仅向闪速控制系统提供用于解码的硬数据。然而，公知的是，软数据可以提高解码处理中的错误率性能。因此，需要使用来自闪速存储器的硬数据来估计或增强软数据并且从而提高解码性能的软数据生成技术。
技术实现思路
通常，提供了用于存储器器件的软数据生成的方法和装置。根据本专利技术的一个方面，通过获得至少一个硬读取值；并且基于关于读取硬读取值的统计生成与至少一个硬读取值关联的软数据值，生成了关于存储器器件的至少一个软数据值。硬读取值可以包括软数据或硬数据(或者它们的组合)，诸如一个或更多个数据位、电压电平、电流水平和电阻水平。所生成的软数据值可以包括(i)用于生成一个或更多个对数似然比的软读取值；或者(ii) 一个或更多个对数似然比。统计可以包括基于位的统计、基于单元的统计和取决于模式的统计中的一个或更多个。关于一个或更多个可能电平LVLwite的基于单元的统计可以基于当写入电平写入或解码时读取电平LVLread的概率。可替选地，关于一个或更多个可能电平LVL_d的基于单元的统计可以基于当读取电平LVLrad被读取时写入或解码电平LVLwite的概率。统计还可以包括至少一个侵略者单元对目标单元的取决于模式的干扰。关于一个或更多个识别模式以及关于一个或更多个可能的参考电平LVLMf的取决于模式的统计可以基于当参考电平LVLref被解码或写入时读取电平LVL_d的概率。可替选地，关于一个或更多个识别模式和关于一个或更多个可能的读取电平LVLread的取决于模式的统计可以基于当读取电平LVL_d被读取时解码或写入参考电平LVLref的概率。根据另一方面，统计可以包括位置特定的统计并且随后生成关于存储器器件的所期望的位置的软数据值。关于至少一个所期望的位置以及关于一个或更多个可能的参考电平LVLMf的位置特定的统计可以基于当参考电平LVLMf被解码或写入时在所期望的位置读取电平LVLread的概率。可替选地，关于至少一个所期望的位置和关于一个或更多个可能的读取电平LVLread的位置特定的统计可以基于当读取电平LVL_d在所期望的位置被读取时解码或写入参考电平LVLMf的概率。根据本专利技术的另一方面，通过获得软读取值；并且基于关于读取软读取值的统计生成与软读取值关联的软数据值，生成了关于存储器器件的至少一个软数据值，其中统计包括位置特定的统计和取决于模式的统计中的一个或更多个。通过参考下面的详细描述和附图，将获得本专利技术的更完整的理解以及本专利技术的另外的特征和优点。附图说明图1是传统的闪速存储器系统的示意性框图；图2图示了关于图1的示例性闪速存储器的示例性阈值电压分布；图3图示了多级单元(MLC)闪速存储器器件中的示例性闪速单元阵列的架构；图4图示了关于图2的电压分配方案的示例性两级MLC编程方案；图5A和5B共同地图示了减少强加在相邻单元上的ICI的可替选的MLC编程方案；图6更详细地图示了多级单元(MLC)闪速存储器器件中的示例性闪速单元阵列；图7图示了由于许多示例性侵略者单元而对目标单元呈现的干扰，诸如单元间干扰、后模式依赖性、噪声和其他失真；图8是根据本专利技术的并入了基于控制器的软解映射/软数据生成技术的示例性闪速存储器系统的示意性框图；图9是根据本专利技术的可替选的实施例的并入了基于控制器的软解映射/软数据生成技术的示例性闪速存储器系统的示意性框图；图10图示了具有迭代的解映射和解码以及可选的交织的示例性闪速读取通道架构；图11图示了根据本专利技术的具有软数据生成的示例性闪速存储器系统；图12A和12B分别是描述示例性软解映射处本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于生成关于存储器器件的至少一个软数据值的方法，所述方法包括：获得至少一个硬读取值；以及基于关于读取所述硬读取值的统计数据数据生成与所述至少一个硬读取值关联的所述软数据值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·F·哈拉特什，
申请(专利权)人：LSI公司，
类型：发明
国别省市：US