曝光装置和光掩膜制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种曝光装置，其为在一个方向上搬送ＴＦＴ用基板（８），隔着光掩膜（３）对ＴＦＴ用基板（８）间歇地照射光源光（２４），对应于形成于所述光掩膜（３）的多个掩膜图案在所述ＴＦＴ用基板（８）上形成曝光图案的曝光装置，所述光掩膜（３）的一表面形成要求分辨率不同的电极布线图案（１４）和信号布线图案（１７），在ＴＦＴ用基板（８）的搬送方向的前后形成有多个电极布线图案（１４）构成的电极布线图案群（１６）和多个信号布线图案（１７）构成的信号布线图案群（１８）。在另一表面对应于要求分辨率高的电极布线图案（１４）形成将该图案缩小投影于所述ＴＦＴ用基板（８）的微透镜（１９），配置该光掩膜（３）使得该微透镜侧（１９）侧作为ＴＦＴ用基板（８）侧。这样，要求分辨率不同的两种曝光图案在同一曝光步骤中同时形成，提高曝光处理效率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种曝光装置，其在一方向搬送被曝光体，并对该被曝光体间歇照射曝光光以形成曝光图案，更加具体地，本专利技术涉及一种曝光装置和光掩膜，其在同一曝光步骤中同时形成要求分辨率不同的两种曝光图案，提高曝光处理效率。背景技術以往的曝光装置，是隔着光掩膜对以一定速度被搬送的被曝光体间歇地进行曝光光的照射，对光掩膜的掩膜图案在规定位置曝光的曝光装置，其通过拍摄单元拍摄由光掩膜确定的曝光位置的被曝光体的搬送方向上游侧的位置，根据该拍摄图像重合被曝光体和光掩膜，从而可控制曝光光的照射时机(例如，参照专利文献1)。先行技術文献专利文献专利文献1 特开2008-76709号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题但是，在这样的以往的曝光装置中，由于通过垂直透过光掩膜的曝光光将形成于光掩膜的掩膜图案直接转印到被曝光体上，因此由于照射到光掩膜的光源光的视角(平行光半角)的存在，被曝光体上的图案的像失焦而分辨率降低，有可能无法曝光形成微细图案。从而，无法在同一曝光步骤中同时形成要求分辨率不同的两种图案。对于这样的问题，可以分为两个步骤进行，S卩，要求分辨率高的微细图案采用分辨率高的例如缩小投影曝光装置曝光形成，要求分辨率低的图案采用所述曝光装置曝光形成，但是这样的曝光处理效率不佳。又，采用所述缩小投影曝光装置，以高分辨率的状态同时形成分辨率要求不同的两种曝光图案也可以，但是这样情况下，被曝光体在二维平面内步进移动进行多面曝光。因此，对于大面积的被曝光体来说，曝光处理效率非常低。因此，本专利技术为了解决上述问题，其目的在于提供一种在同一曝光步骤中同时形成要求分辨率不同的两种曝光图案，提高曝光处理效率。解决问题的手段为了达到上述目的，本专利技术的曝光装置为在一个方向上搬送被曝光体，隔着光掩膜对所述被曝光体间歇地照射光源光，对应于形成于所述光掩膜的多个掩膜图案在所述被曝光体上形成曝光图案的曝光装置，所述光掩膜为，在形成于透明基板的一表面的遮光膜上，在所述被曝光体的搬送方向的前后形成由要求分辨率不同的两种掩膜图案构成的两个掩膜图案群，所述透明基板的另一表面对应于所述要求分辨率不同的两种掩膜图案中要求分辨率高的一方的掩膜图案形成将该一方的掩膜图案缩小投影于所述被曝光体上的微透镜，所述光掩膜被配置为所述微透镜侧作为所述被曝光体侧。通过这样的结构，被曝光体在一个方向被搬送，光源光隔着光掩膜间歇地照射于3被曝光体，该光掩膜在形成于透明基板的一面的遮光膜上、在被曝光体的搬送方向的前后形成有由要求分辨率不同的两种掩膜图案构成的两个掩膜图案群，要求分辨率不同的两种掩膜图案中，一方的掩膜图案由对应于要求分辨率高的一方的掩膜图案形成于透明基板的另一表面的微透镜缩小投影到被曝光体，形成与该一方掩膜图案对应的曝光图案，要求分辨率不同的两种掩膜图案中，与要求分辨率低的另一方的掩膜图案对应的曝光图案形成于被曝光体上。又，所述要求分辨率高的一方的掩膜图案所构成的掩膜图案群，具有在与所述被曝光体的搬送方向大致正交的方向上由所述多个掩膜图案以规定间隔排列为一直线状而形成的多个掩膜图案列，位于所述被曝光体的搬送方向最下游侧的所述掩膜图案列所形成的多个曝光图案的间隙能够通过后续的掩膜图案列所形成的多个曝光图案补完，所述后续的掩膜图案列在所述多个掩膜图案的所述排列方向上分别错开规定尺寸。这样，通过具有在与被曝光体的搬送方向大致正交的方向、多个掩膜图案以规定间隔排列形成的多个掩膜图案列的掩膜图案群，该掩膜图案群是由相对位于被曝光体的搬送方向最下游侧的掩膜图案列后续的掩膜图案列在多个掩膜图案的排列方向上分别错开规定尺寸形成的要求分辨率高的一方的掩膜图案所构成的，使得位于被曝光体的搬送方向最下游侧的掩膜图案列所形成的多个曝光图案的间隙由后续的掩膜图案列所形成的多个曝光图案补完。所述被曝光体为液晶显示装置的TFT用基板；所述要求分辨率不同的两种掩膜图案中，所述一方的掩膜图案为薄膜晶体管的电极布线图案，另一方的掩膜图案为向所述薄膜晶体管提供信号的信号布线图案；所述电极布线图案和所述信号布线图案形成为所述电极布线图案的曝光图案和所述信号布线图案的曝光图案相互连接。这样，将薄膜晶体管的电极布线图案缩小投影在液晶显示装置的TFT用基板上，形成对应于电极布线图案的曝光图案，并形成与向薄膜晶体管提供信号的信号布线图案对应的曝光图案，在TFT用基板将两曝光图案相互连接。本专利技术的光掩膜，在形成于透明基板的一表面的遮光膜上，横向排列由要求分辨率不同的两种掩膜图案构成的两个掩膜图案群，在所述透明基板的另一表面对应于所述要求分辨率不同的两种掩膜图案中要求分辨率高的一方的掩膜图案形成将该一方的掩膜图案缩小投影于所述被曝光体上的微透镜。通过这样的构成，分别构成在形成于透明基板的一表面的遮光膜上横向排列形成的两个掩膜图案群的要求分辨率不同的两种掩膜图案中，通过对应于要求分辨率高的一方的掩膜图案形成于透明基板另一表面的微透镜将所述一方的掩膜图案缩小投影到相对配置的被曝光体上，将要求分辨率低的另一方的掩膜图案直接转印。所述要求分辨率高的一方的掩膜图案构成的掩膜图案群包括由所述多个掩膜图案以规定间隔排列成一直线状形成的多个掩膜图案列，相对于任意一个掩膜图案列其他掩膜图案列在所述多个掩膜图案的所述排列方向分别错开规定尺寸。这样，对于在与掩膜图像列大致正交方向上被搬送的被曝光体，任意一个的掩膜图像列所形成的多个曝光图案的间隙通过其他的掩膜图案列所形成的多个曝光图案来补完。专利技术效果根据第一方面的专利技术，在形成于同一光掩膜上的要求分辨率不同的两种掩膜图案中，以微透镜对要求分辨率高的一方的掩膜图案进行缩小投影形成分辨率高的微细曝光图4案，对要求分辨率低的另一方的掩膜图案直接地转印形成覆盖较大区域的、大的曝光图案。 从而，即使在被曝光体上混有要求分辨率不同的两种曝光图案时，可采用同一曝光步骤同时形成，从而提高曝光处理效率。又，根据第二方面的专利技术，由于微透镜的存在而导致掩膜图案列的多个掩膜图案的排列间隔无法减小的时候，被位于曝光体的搬送方向最下游侧的掩膜图案列所形成的多个曝光图案的间隙可通过后续的掩膜图案列所形成的多个曝光图案来补完。从而，可高密度地形成要求分辨率高的曝光图案。根据第三方面的专利技术，对于液晶显示装置的TFT用基板，可在同一曝光步骤中将要求高分辨率的薄膜晶体管的电极布线图案和分辨率可以较低的信号布线图案的各曝光图案相互连接。从而，可高效的形成TFT用基板的布线图案。又，第四方面的专利技术，同一透明基板上形成的要求分辨率不同的两种掩膜图案中， 以微透镜对要求分辨率高的一方的掩膜图案进行缩小投影并形成分辨率高的微细曝光图案，对要求分辨率低的另一方的掩膜图案直接转印形成覆盖较大区域的大的曝光图案。从而，即使在被曝光体上混有要求分辨率不同的两种曝光图案的情况下，也可在同一曝光步骤中形成曝光图案，从而提高曝光处理效率。根据第五方面的专利技术，即使在由于微透镜的存在无法减小掩膜图案列的多个掩膜图案的排列间隔的情况下，对于在与掩膜图案列大致正交方向搬送的被曝光体，对任意一个掩膜图案列所形成的多个曝光图案的间隙以其他掩膜图案列所形成的多个曝光图案进行补完。从而，可高密度地形成要求分辨率高的曝光图案。附图说明图1是显示本专利技术的曝光装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种曝光装置，其为在一个方向上搬送被曝光体，并隔着光掩膜对所述被曝光体间歇地照射光源光，对应于形成于所述光掩膜的多个掩膜图案在所述被曝光体上形成曝光图案的曝光装置，其特征在于，所述光掩膜，在形成于透明基板的一表面的遮光膜上，并在所述被曝光体的搬送方向的前后形成由要求分辨率不同的两种掩膜图案构成的两个掩膜图案群，在所述透明基板的另一表面形成微透镜，该微透镜对应于所述要求分辨率不同的两种掩膜图案中要求分辨率高的一方的掩膜图案，将该一方的掩膜图案缩小投影于所述被曝光体上，所述光掩膜配置为所述微透镜侧为所述被曝光体侧。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：水村通伸，
申请(专利权)人：株式会社V技术，
类型：发明
国别省市：JP