半导体处理室中减少污染的方法及其装置制造方法及图纸

一种半导体处理装置包括反应室、装载室、可移动支撑件、驱动机构及控制系统。反应室包括底板。底板包括开口。可移动支撑件经构造以保持工件。驱动机构经构造以使保持于支撑件上的工件朝向底板的开口移动至处理位置。控制系统经构造以当工件支撑件处于运动中时，在反应室与装载室之间形成正压力梯度。当工件支撑件处于运动中时，净化气体从反应室流入装载室中。控制系统经构造以当处理工件时，在反应室与装载室之间形成负压力梯度。当工件支撑件处于处理位置时，净化气体可从装载室流入反应室中，除非在处理位置中使反应室从装载室密封开。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及处置用于半导体处理的基板(substrate)的系统和方法。
技术介绍
在诸如晶体管、二极管以及集成电路的半导体器件的处理中，通常将多个这些器件同时制造于薄半导体材料片上，所述半导体材料片称为基板、晶片(wafer)或工件 (workpiece)。当制造这些半导体器件时，需要工件不被微粒污染，污染可能会导致器件故障。因此，将处理工件的反应器内部与反应空间的外部隔离，以防止污染物进入反应空间中。
技术实现思路
根据一实施例，一种半导体处理装置，包括位于装载室(loading chamber)上方的横流反应室(cross-flow reaction chamber)，所述装载室与所述横流反应室由具有开口的底板隔开。可移动工件支撑件(movable workpiece support)经构造以保持半导体工件。 驱动机构经构造以使所述工件支撑件在装载位置与处理位置之间移动。所述装置还包括控制系统，所述控制系统经构造以当工件支撑件移动时，控制所述反应室的压力高于所述装载室的压力。所述控制系统可进一步经构造以当所述工件支撑件处于所述处理位置时，控制所述反应室的压力低于所述装载室的压本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体处理装置，包括：位于装载室上方的横流反应室，所述装载室与所述横流反应室由包括开口的底板隔开；可移动工件支撑件，其经构造以保持半导体工件；驱动机构，其经构造以使所述工件支撑件在装载位置与处理位置之间移动；以及控制系统，其经构造以当所述工件支撑件移动时，控制所述反应室的压力高于所述装载室的压力。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·C·瑞德，
申请(专利权)人：ASM美国公司，
类型：发明
国别省市：US