【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，尤其涉及一种在有机气体环境下利用退火制程。
技术介绍
目前显示器业界使用的薄膜晶体管可根据使用的半导体层材料来做区分，包括非晶硅薄膜晶体管(amorphous silicon TFT，a-Si TFT)、多晶硅薄膜晶体管(poly silicon TFT)以及氧化物半导体薄膜晶体管(oxide semiconductor TFT)。非晶硅薄膜晶体管受到非晶硅半导体材料本身特性的影响，使其电子迁移率无法大幅且有效地通过制程或元件设计的调整来改善，故无法满足目前可见的未来更高规格显示器的需求。多晶硅薄膜晶体管的制程复杂(相对地成本提升)且于大尺寸面板应用时会有结晶化制程导致结晶程度均勻性不佳的问题存在，故目前多晶硅薄膜晶体管仍以小尺寸面板应用为主。氧化物半导体薄膜晶体管则是应用近年来新崛起的氧化物半导体材料，此类材料一般为非晶相 (amorphous)结构，没有应用于大尺寸面板上均勻性不佳的问题。氧化物半导体薄膜晶体管的电子迁移率一般可比非晶硅薄膜晶体管高10倍以上，已可满足目前可见的未来高规格显示器的需求。一般而言，在氧化物半导体层形成后，会对...
【技术保护点】
１．一种修补氧化物半导体层的缺陷的方法，包括：提供基板，并于该基板上形成一氧化物半导体层；将该基板载入反应室内，并于该反应室内通入至少一种有机气体，以使该反应室内形成有机气体环境；以及在该有机气体环境下对该氧化物半导体层进行退火制程，以修补该氧化物半导体层的缺陷。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：高逸群，杜振源，林俊男，吴淑芬，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71
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