截面为圆环的圆柱体的半导体器件的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种截面为圆环的圆柱体的半导体器件的制作方法，该方法首先以氮化硅层为掩膜定义圆环的外径，然后对其下的多晶硅层或者非晶硅层进行氧化，掩膜氮化硅层下方未被氧化的多晶硅层或者非晶硅层的直径宽度作为圆环的内径宽度。在此过程中利用刻蚀技术最终形成截面为圆环的圆柱体的半导体器件。采用本发明专利技术的方法能够简单准确地实现截面为圆环的圆柱体图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种。
技术介绍
磁性随机存取存储器(MRAM)是一种非易失性存储器，其在许多应用中有着传统存储器例如动态随机存取存储器(DRAM)、闪存等无法比拟的优点。MRAM的磁性存储单元为磁性隧道结(MTJ)，现有的MTJ为实心圆柱体，经过研究表明，将MTJ制作成截面为圆环的圆柱体，则能够大大提高MRAM的电学性能。图1为截面为圆环的圆柱体半导体器件立体示意图。因此，不仅仅对于MTJ，包括其他需要制作成截面为圆环的圆柱体的半导体器件，如何实现该半导体器件的图案，是半导体制造业正在关注的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术解决的技术问题是如何制作截面为圆环的圆柱体半导体器件。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案具体是这样实现的本专利技术公开了一种，该方法包括在半导体衬底上依次沉积刻蚀目标层、多/非晶硅层和氮化硅层；所述多/非晶硅层的含义为多晶硅层或者非晶硅层；在氮化硅层的表面涂布光阻胶层，并曝光显影图案化所述光阻胶层，所述图案化的光阻胶层为圆柱形，用于定义圆环的外径宽度；以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀所述氮化硅层形成图案化的圆柱形氮化硅层；去除本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种截面为圆环的圆柱体的半导体器件的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次沉积刻蚀目标层、多／非晶硅层和氮化硅层；所述多／非晶硅层的含义为多晶硅层或者非晶硅层；在氮化硅层的表面涂布光阻胶层，并曝光显影图案化所述光阻胶层，所述图案化的光阻胶层为圆柱形，用于定义圆环的外径宽度；以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀所述氮化硅层形成图案化的圆柱形氮化硅层；去除光阻胶层后，以图案化的圆柱形氮化硅层为掩膜，对多／非晶硅层进行氧化形成具有第一预定深度的氧化硅层；其中，位于图案化的圆柱形氮化硅层的下方未被氧化的多／非晶硅层的直径宽度为圆环的内径宽度；以所述图案化的圆柱形氮化硅层为掩膜，各向异性刻蚀具有第一预定...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：洪中山，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31