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本发明提供了一种截面为圆环的圆柱体的半导体器件的制作方法，该方法首先以氮化硅层为掩膜定义圆环的外径，然后对其下的多晶硅层或者非晶硅层进行氧化，掩膜氮化硅层下方未被氧化的多晶硅层或者非晶硅层的直径宽度作为圆环的内径宽度。在此过程中利用刻蚀技术...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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