前体输送系统技术方案

一种前体源器具（１００）包括器具本体（１０４）、在器具本体（１０４）内的通道（１４５）以及附连到本体（１０４）的表面的阀门（１０８，１１０，２１０）。内部腔室（１１１）适于容纳化学反应物，而且通道（１４５）从本体（１０４）外部延伸到腔室（１１１）。阀门（１０８，１１０，２１０）调节穿过通道（１４５）的流动。器具（１００）具有入口阀门和出口阀门（１０８，１１０），且可选择地具有用于排出内部气体的通风阀门（２１０）。外部气体面板（９７）可以包括流动地插入在出口阀门（１１０）与衬底反应腔室（１６２）之间的至少一个阀门（１８２）。每个气体面板阀门（１８２）可以沿一平面放置，该平面基本平行于器具（１００）的平坦表面并且距离该平坦表面不超过大约１０．０ｃｍ。器具盖（１０６）或壁中的过滤器（１３０）过滤通过器具的阀门（１０８，１１０，２１０）的气流。快速连接组件（１０２）允许将器具（１００）快速且容易地连接到气体面板（９７）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
002本申请一般地涉及半导体处理装置，且具体涉及用于输送反应 物气体到处理腔室的设备。
技术介绍
003化学气相淀积(CVD)是半导体产业中用于在诸如硅晶片的衬 底上形成材料薄膜的已知工艺。在CVD中，不同反应物的反应物气体(在此也被称为"前体气体")被输送给反应腔室中的一个或多个衬 底。在很多情况下，反应腔室仅包括被支撑在衬底支架(诸如基座) 上的单个衬底，其中衬底和衬底支架被维持在期望的工艺温度。反应 物气体彼此反应以形成衬底上的薄膜，其中生长率由温度或反应物气 体的量来控制。004在一些应用中，将反应物气体以气体形式存储在反应物源器具 中。在这些应用中，反应物蒸汽在环境压力(即正常压力)和环境温 度下经常为气态。这些气体的示例包括氮气、氧气、氢气和氨气。然 而，在一些情况下，使用在环境压力和环境温度下为液体或固体(例 如氯化铪)的源化学物质("前体")的蒸汽。这些源化学物质可能 必须被加热以产生足够数量的蒸汽以用于反应过程。对于一些固体物 质(在此被称为"固体源前体")，室温下的蒸汽压力低至它们必须 被加热以产生足够数量的反应物蒸汽且/或必须被维持在非常低的压力 下。 一旦汽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学反应物源器具，包括：　器具本体，其限定内部腔室，该内部腔室适于容纳固体或液体化学反应物；　通道，其在所述器具本体内，所述通道从所述器具本体的外部延伸到所述腔室；和　阀门，其直接附连到所述器具本体的表面并被配置为调节 经过所述通道的流动。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：K方朱尔利亚，E舍罗，ME维吉斯，CL怀特，
申请(专利权)人：ASM美国公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]