电感耦合型等离子体发生源电极及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了电感耦合型等离子体发生源电极及具备该电感耦合型等离子体发生源电极的基板处理装置。本发明专利技术的等离子体发生源电极（３６０），产生基板处理用的电感耦合型等离子体（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ），具备：弯折部（３６２），具有１个以上的弯折点；第一电极部（３６１），以上述弯折部（３６２）为基准位于待处理的基板（１０）的上部；以及第二电极部（３６３），以上述弯折部（３６２）为基准位于上述基板（１０）的下部。根据本发明专利技术，能够在待处理基板的全区域得到均匀的等离子体密度，还能够防止信号衰。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电感耦合型等离子体发生源电极及具备该电感耦合型等离子体发生源电极的基板处理装置。更具体而言，涉及如下的电感耦合型等离子体发生源电极及具备该电感耦合型等离子体发生源电极的基板处理装置其通过向待处理基板的前面及后面施加朝向不同方向的射频信号，能够在全区域得到均勻的等离子体密度，并能够防止信号衰减。
技术介绍
利用由高频能量产生的等离子体的工艺被称作“高频等离子体方法(RF Plasma !Processes) ”或“高频等离子体处理(RF Plasma Processing)”。在大规模集成电路等的半导体制造技术中，采用等离子体的蚀刻及蒸镀等的技术中使用该工艺，特别是在液晶显示装置(IXD :Liquid Crystal Display)那样的显示装置的制造中该工艺非常实用。此外，近年来，随着要求半导体元件的细微化及晶片的大口径化，该使用等离子体的工艺发挥更重要的作用。在该工艺中使用高频是为了降低与集成等级的提高及半导体元件的微细化密切相关的工艺压力。另一方面，为了提高工艺速度及生产率，一般要求增加等离子体的密度即等离子体内的带电粒子的密度。但是，提高工艺速度和降低工艺压本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种等离子体发生源电极，产生基板处理用的电感耦合型等离子体，其特征在于，具备：弯折部，具有１个以上的弯折点；第一电极部，以上述弯折部为基准位于待处理的基板的上部；以及第二电极部，以上述弯折部为基准位于上述基板的下部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：李庆镐，
申请(专利权)人：泰拉半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR