【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括主器件的堆叠的半导体器件相关领域的交叉引用本申请要求2009年2月24日提交的序列号为61/154，910的美国临时专利申请和2009年4月24日提交的序列号为12/429，310的美国专利申请的优先权权益，其全部内容通过引用合并于此。
技术介绍
现今，许多电子器件包括存储器系统以存储信息。一些存储器系统存储例如数字化的音频或视频信息，用于通过各媒体播放器进行回放。其它的存储器系统存储例如软件和相关信息，以实现不同类型的处理功能。此外，例如动态随机存取存储器(DRAM)系统和静态随机存取存储器(SRAM)系统的一些类型的存储器系统是易失性存储器系统，这是因为在电源被切断时，所存储的数据不被保存；而例如NAND(与非)闪存系统和N0R(或非) 闪存系统的其它类型的存储器系统为非易失性存储器系统，这是因为在断电时，所存储的数据被保存。随着时间的推进，消费者有这样的期望存储器系统将具有由尺寸逐渐缩小的芯片来提供的逐渐增大的容量。以往，能够实现上述期望的一个重要因素是工艺技术的成比例缩小；但是，在不久的将来，这种方法的成本和局限非常可能逐渐变得更不利。例如，当工艺技术成比例...
【技术保护点】
１．一种系统，包括：堆，其包括：第一非易失性存储芯片；以及第二非易失性存储芯片，该第二非易失性存储芯片缺少至少一些非核心电路，以有助于减小芯片尺寸；以及多个电通路，在该第一非易失性存储芯片和该第二非易失性存储芯片之间延伸，该电通路有助于该第一非易失性存储芯片向该第二非易失性存储芯片提供器件操作所需的信号和电压。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。