【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及闪存设计领域，更具体地说，本专利技术涉及一种用于对闪存记忆体模块进行测试的测试接口结构、采用该测试接口结构的测试电路、以及相应的测试方法。
技术介绍
在闪存存储器的设计和制造过程中，需要利用测试接口来对闪存记忆体模块进行测试，以确保闪存存储器的可靠性。具体地说，闪存记忆体模块具体包括闪存记忆体矩阵、 译码电路和电荷泵等模块电路等。测试接口 /焊盘可用于测试闪存记忆体模块基本功能 (擦，写和读)，测量内部高压和内部电流，测试输入输出逻辑功能，还可用于外加高压、外加电流对闪存记忆体做疲劳测试等。随着制造成本的越来越低，越少的测试接口 /焊盘，意味着更小的芯片面积和更高的测试效率。利用三个测试接口/焊盘即可实现闪存记忆体的测试时一个最具性价比的方案。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种最少的测试接口 /焊盘对闪存记忆体模块进行测试的。根据本专利技术的第一方面，提供了一种用于对闪存记忆体模块进行测试的测试接口结构，其包括三个测试接口 /焊盘，该三个测试接口 /焊盘为第一测试端口、第二测试端口以及第三测试端口，其中第一测试端口用于向闪存记忆体模块输入时...
【技术保护点】
１．一种用于对闪存记忆体模块进行测试的测试接口结构，其特征在于包括三个测试接口／焊盘，该三个测试接口／焊盘为：第一测试端口、第二测试端口以及第三测试端口，其中第一测试端口用于向闪存记忆体模块输入时钟信号；第二测试端口用于与闪存记忆体模块传递数据；第三测试端口用于执行三种功能。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：钱亮，索鑫，何军，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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