一种假容量存储器的检测方法及系统技术方案

本发明专利技术适用于检测技术领域，提供了一种假容量存储器的检测方法及系统，所述方法包括：在存储器的高地址数据区写入预先设置的测试数据；读出所述存储器高地址数据区对应的数据，当所述读出的存储器高地址数据区对应的数据与写入的所述测试数据不相同时，则判定所述存储器为假写类型的假容量存储器，结束检测流程；当所述读出的存储器高地址数据区对应的数据与写入的所述测试数据相同时，在存储器的尾部区域和中部区域的若干扇区写入所述预先设置的测试数据；从存储器的0地址扇区开始，对读取到的扇区数据进行测试标识的比较，判断所述存储器是否循环写类型的假容量存储器，检测速度快，方便。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于检测
，尤其涉及一种假容量存储器的检测方法及系统。
技术介绍
随着Nand Flash在存储器领域的广泛应用，越来越多的电子类产品与存储器都在使用Nand Flash作为存储介质，例如U盘、存储卡、SSD等，它具有抗振动、低功耗、长效存储等优点。Nand Flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何Flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。在固件程序中，为了提供连续的逻辑操作空间，需要对 Flash的块进行有效的管理，包括对坏块的标识，对区的管理，对块的使用频率进行平衡等。 这些算法需要占用Nand Flash的块，同时固件程序也保存在Nand Flash当中，也会占用 Nand Flash的块。所以，一片容量为M的Nand Flash，私有数据占用了 N大小的空间，那么经过固件程序管理后，提供给客户使用的有效空间只有M-N剩下的容量。由于Nand Flash管理技术的普及，以及更多存储主控的出现，存储器领域的竞争日益激烈，在利益的驱使下，一些不法分子利用固件上的漏洞，或者不法主控商提供的虚假容量设置功能，使用M容量的Nand Flash，量产后，虚报容量为X(X > M)大小，然后以X容量的存储器进行销售，获取暴利。实际上，M容量的Nand Flash生产出来的存储器，是不可能提供超过M容量的可用空间的，那个虚报容量为X的存储器，实际上只能保存M大小的数据，那些X减去M得到的空间，是无法保存数据的，并且假容量的存储器是不会汇报说无法保存的，用户存入到设备里的数据会出现丢失的情况，给用户造成无法挽回的损失，有时候甚至是无法用金钱来衡量的。由于假容量技术的不断改进和提高，已经从早期的逻辑分区虚拟假容量发展到了固件设置虚拟假容量，并且从以前的超出容量不保存发展到循环保存，也就是说X的假容量存储器，真实容量是M,那么循环使用M这部分空间，最后写入的M容量内容将被保存，最早写入的数据被覆盖掉，种种隐蔽的作假技术，使得假容量设备被检测出来需要更加费时费力，只有写入X容量的数据后再全盘读出进行匹配，才能发现存储器是否假容量，对于一个16GB的存储器，如果写入速度为5MB/s，读取速度为lOMB/s，全盘写入和读取进行比较， 需要耗时1小时20分钟，这是非常漫长的。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种假容量存储器的检测方法，旨在解决现有技术中随着假容量技术的不断改进和提高，对假容量存储器的检测方式不完善，检测速度慢的问题。本专利技术实施例是这样实现的，一种假容量存储器的检测方法，所述方法包括下述步骤在存储器的高地址数据区写入预先设置的测试数据；读出所述存储器高地址数据区对应的数据，当所述读出的存储器高地址数据区对应的数据与写入的所述测试数据不相同时，则判定所述存储器为假写类型的假容量存储器，结束检测流程；当所述读出的存储器高地址数据区对应的数据与写入的所述测试数据相同时，在存储器的尾部区域和中部区域的若干扇区写入所述预先设置的测试数据；从存储器的0地址扇区开始，对读取到的扇区数据进行测试标识的比较，判断所述存储器是否循环写类型的假容量存储器。本专利技术实施例的另一目的在于提供一种假容量存储器的检测系统，所述系统包括第一测试数据写入模块，用于在存储器的高地址数据区写入预先设置的测试数据；假写类型存储器判定模块，用于读出所述存储器高地址数据区对应的数据，当所述读出的存储器高地址数据区对应的数据与写入的所述测试数据不相同时，则判定所述存储器为假写类型的假容量存储器，结束检测流程；第二测试数据写入模块，用于当所述假写类型存储器判定模块读出的存储器高地址数据区对应的数据与写入的所述测试数据相同时，在存储器的尾部区域和中部区域的若干扇区写入所述预先设置的测试数据；以及循环写类型存储器判断模块，用于从存储器的0地址扇区开始，对读取到的扇区数据进行测试标识的比较，判断所述存储器是否循环写类型的假容量存储器。在本专利技术实施例中，在存储器的高地址数据区写入预先设置的测试数据；读出所述存储器高地址数据区对应的数据，当所述读出的存储器高地址数据区对应的数据与写入的所述测试数据不相同时，则判定所述存储器为假写类型的存储器；当所述读出的存储器高地址数据区对应的数据与写入的所述测试数据相同时，在存储器的尾部区域和中部区域的若干扇区写入所述预先设置的测试数据；从存储器的0地址扇区开始，对读取到的扇区数据进行测试标识的比较，判断所述存储器是否循环写类型的假容量存储器，检测速度快， 方便。附图说明图1是本专利技术实施例提供的假容量存储器的检测方法的实现流程图；图2是本专利技术实施例提供的预先设置生成测试数据的实现流程图；图3是本专利技术实施例提供的测试数据区的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的从存储器的0地址扇区开始，对读取到的扇区数据进行测试标识的比较，判断所述存储器是否循环写类型的假容量存储器的实现流程图；图5是本专利技术实施例提供的假容量存储器的检测系统的结构框图；图6是本专利技术实施例提供的测试数据生成模块的结构框图；图7是本专利技术实施例提供的循环写类型假容量存储器判断模块的结构框图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。在本专利技术实施例中，在测试数据中加入了测试标识，将测试数据写入存储器，然后读取进行比较，判断存储器是否为假容量存储器。本专利技术实施例的目的在于提供一种假容量存储器的检测方法，所述方法包括下述步骤在存储器的高地址数据区写入预先设置的测试数据；读出所述存储器高地址数据区对应的数据，当所述读出的存储器高地址数据区对应的数据与写入的所述测试数据不相同时，则判定所述存储器为假写类型的假容量存储器，结束检测流程；当所述读出的存储器高地址数据区对应的数据与写入的所述测试数据相同时，在存储器的尾部区域和中部区域的若干扇区写入所述预先设置的测试数据；从存储器的0地址扇区开始，对读取到的扇区数据进行测试标识的比较，判断所述存储器是否循环写类型的假容量存储器。本专利技术实施例的另一目的在于提供一种假容量存储器的检测系统，所述系统包括第一测试数据写入模块，用于在存储器的高地址数据区写入预先设置的测试数据；假写类型存储器判定模块，用于读出所述存储器高地址数据区对应的数据，当所述读出的存储器高地址数据区对应的数据与写入的所述测试数据不相同时，则判定所述存储器为假写类型的假容量存储器，结束检测流程；第二测试数据写入模块，用于当所述假写类型存储器判定模块读出的存储器高地址数据区对应的数据与写入的所述测试数据相同时，在存储器的尾部区域和中部区域的若干扇区写入所述预先设置的测试数据；以及循环写类型存储器判断模块，用于从存储器的0地址扇区开始，对读取到的扇区数据进行测试标识的比较，判断所述存储器是否循环写类型的假容量存储器。在本专利技术实施例中，在存储器的高地址数据区写入预先设置的测试数据；读出所述存储器高地址数据区对应的数据，当所述读出的存储器高地址数据区对应的数据与写入的所述测试数据不相同时，则判定所述存储器为假写类本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种假容量存储器的检测方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：在存储器的高地址数据区写入预先设置的测试数据；读出所述存储器高地址数据区对应的数据，当所述读出的存储器高地址数据区对应的数据与写入的所述测试数据不相同时，则判定所述存储器为假写类型的假容量存储器，结束检测流程；当所述读出的存储器高地址数据区对应的数据与写入的所述测试数据相同时，在存储器的尾部区域和中部区域的若干扇区写入所述预先设置的测试数据；从存储器的０地址扇区开始，对读取到的扇区数据进行测试标识的比较，判断所述存储器是否循环写类型的假容量存储器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：覃敏，邓恩华，
申请(专利权)人：深圳市江波龙电子有限公司，
类型：发明
国别省市：94