具扩充型电荷捕获层的存储器制造技术

存储器阵列包括多个位线和多个字线、栅极区及电荷捕获层。电荷捕获层宽于字线；电荷捕获层扩充超出栅极区的边缘以促进补捉以及移除电荷。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·房，TS·陈，C·陈，
申请(专利权)人：斯班逊有限公司，
类型：
国别省市：