【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及场效应晶体管测量
，尤其涉及。
技术介绍
集成电路已经发展到极大规模的纳米技术时代，现有的体硅材料和工艺正接近它们的物理极限，在进一步减小集成电路的特征尺寸方面遇到了严峻的挑战。如果希望进一步提高芯片的集成度和运行速度，则必须在材料和工艺上有新的重大突破。目前业界公认， 绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator，SOI)技术与应变硅技术，将成为纳米技术时代取代现有单晶硅材料的两大解决方案，是维持Moore定律走势的两大利器。其中，SOI技术以其独特的材料结构有效克服了在体硅上制造器件所带来的局限性，已被广泛应用于高速低功耗IC设计领域。因为SOI技术具有优于体硅技术的良好高温特性，例如，无热激发闩锁效应、结泄漏电流较小、阈值电压随温度变化小等，使MOS电路的工作温度上限得以提高，工作性能也更加稳定。但是，SOI技术中埋氧层的热传导率较差，使得器件内部的热积聚变得很严重，所以自加热效应便成为影响器件特性的主要因素之一。 因而，需要深入分析和提取SOI电路的自加热效应，用以模拟和预测SOI电路正常工作状态下的性能。热阻是描述场效应晶体...
【技术保护点】
１．一种绝缘体上硅场效应晶体管热阻提取方法，该方法包括以下步骤：对绝缘体上硅场效应晶体管施加偏置电压，分别获取所述绝缘体上硅场效应晶体管的体源电流与功耗、以及所述绝缘体上硅场效应晶体管的体源电流与局部温度之间的对应关系；根据上述对应关系，计算所述绝缘体上硅场效应晶体管的热阻值。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：毕津顺，海潮和，韩郑生，罗家俊，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11
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