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本发明提供一种绝缘体上硅场效应晶体管热阻提取方法，该方法包括以下步骤：对绝缘体上硅场效应晶体管施加偏置电压，分别获取所述绝缘体上硅场效应晶体管的体源电流与功耗、以及所述绝缘体上硅场效应晶体管的体源电流与局部温度之间的对应关系；根据上述对应关...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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