发光器件制造技术

本发明专利技术提供了一种发光器件，并且还提供了一种发光器件封装。根据发光器件，在导电支撑构件上设置发光部和静电放电(ESD保护部。连接层将发光部的第一导电型半导体层电连接到ESD保护部的第二导电型半导体层。在连接层和ESD保护层上设置保护构件。

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及一种发光器件。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种半导体器件，用于将电能转换的光。与诸如荧光灯和白炽灯的现有技术的光源作比较，LED具有诸如低功耗、半永久使用期限、快速响应时间、安全性和环境友好。许多研究正在进行以便将现有技术的光源替换为LED。此外，根据趋势，LED 正在越来越多被用作诸如多种灯和街灯的照明器件、液晶显示器件的照明单元和室内和室外位置的记分牌的光源。
技术实现思路
实施例提供了一种具有新结构的发光器件。实施例也提供了一种防止静电的发光器件。在一个实施例中，一种发光器件包括导电支撑构件；发光部，其包括在所述导电支撑构件上的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，其中，所述第二导电型半导体层电连接到所述导电支撑构件；静电放电(ESD)保护部，其包括在所述导电支撑构件上的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；第一连接层，其将所述发光部的所述第一导电型半导体层电连接到所述ESD保护部的所述第二导电型半导体层；以及在所述ESD保护部和所述第一连接层上的保护构件。在另一个实施例中，一种发光器件包括导电支撑构件；发光部，其包括第一结构层；静电放电(ESD)保护部，其包括第二结构层，其中，所述第一和第二结构层包括在所述导电支撑构件上的第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电型半导体层；第一和第二凹槽，其通过所述第一导电型半导体层和所述有源层以暴露所述第二导电型半导体层的( 面区域；第一和第二保护层，其分别围绕所述第一和第二凹槽的侧表面；第一连接层，其用于通过所述第一保护层将所述第二导电型半导体层的所述( 面区域连接到所述ESD保护部的所述第一导电型半导体层；以及保护构件，其位于所述ESD保护部的所述第一连接层和所述第一导电型半导体层上。在附图和下面的说明中阐述一个或多个实施例的细节。通过说明书和附图并且通过权利要求，其他特征将显而易见。附图说明图1是是根据实施例的发光器件的侧截面图。图2是N面区域和( 面区域的视图。图3是在N面区域和( 面区域中的操作电压特性的图形。图4至16是图示根据实施例的用于制造发光器件的处理的视图。图17是根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图。图18是根据实施例的包括发光器件或发光器件封装的背光单元的视图。图19是根据实施例的包括发光器件或发光器件封装的照明单元的透视图。具体实施例方式在实施例的说明中，可以明白，在层(或膜)、区域、图案或组件被称为在衬底、层 (或膜)、区域、焊盘或图案“上”或“下”时，它可以直接地在另一层或衬底上，或也可以存在插入层。此外，可以明白，当层被称为在另一层“下”时，它可以直接地在另一层下，并且也可以存在一个或多个插入层。此外，将基于附图来进行关于每层的“上”和“下”的引用。以下，将参考附图来描述实施例。在附图中，为了说明的方便和清楚，每层的厚度或尺寸被夸大、省略或示意地图示。此外，每一个元件的尺寸不整体反应实际尺寸。图1是根据实施例的发光器件的侧截面图。参见图1，发光器件100包括发光部101 ；静电放电(ESD)保护部103 ；粘结层 190，其支撑发光器件101和ESD保护部103 ；以及导电支撑构件195。发光部101包括第一导电型半导体层110、有源层120、第二导电型半导体层130、 第一欧姆接触层150和电极198。ESD保护部103包括第一导电型半导体层112、有源层 122、第二导电型半导体层132和第二欧姆接触层152。第一保护层140被设置在发光结构层135的内表面上，以将发光部101与ESD保护部103电分离。第一保护层140可以由Si02、Si3N4、Al2O3和TiO2中的至少一种形成。第一欧姆接触层150被设置在第二导电型半导体层130上方的内部区域中，并且第二欧姆接触层152被设置在第二导电型半导体层132上方的内部区域中。反射层160可以被设置在第一欧姆接触层150上。反射层160可以反射从发光结构层135入射的光，以改善发光器件100的发光效率。第一连接层170被设置在内部区域中。第一连接层170的第一端连接到第一导电型半导体层110，并且第一连接层170的第二端连接到第二欧姆接触层152。第一连接层 170的第一端可以连接到第一导电型半导体层110的Ga面区域。下面将说明Ga面区域和N面区域。参见图2，可以将Ga材料和N材料彼此混合，然后在向上的方向上生长以形成GaN 层200。在此，可以进一步增加In材料或Al材料。可以蚀刻生长的GaN层200的底表面或顶表面。S卩，GaN层200可以从其底表面向上地被蚀刻。由上述的蚀刻处理暴露的GaN层 200的表面可以变为N面区域202。此外，GaN层200可以从其顶表面向下地被蚀刻。由上述的蚀刻处理暴露的GaN层 200的表面可以变为Ga面区域204。在N面区域202和Ga面区域204中的热稳定性和操作电压特性彼此不同。通常，在Ga面区域204中的结晶优于在N面区域202中的结晶。因此，在Ga面区域204中的热稳定性优于在N面区域202中的热稳定性。 此外，在Ga面区域204中的操作电压特性优于在N面区域202中的操作电压特性。 参见图3，当发光器件长时间运行，例如10小时时，在Ga面区域204中的操作电压特性保持不变。然而，在N面区域202中的操作电压特性被减小。因此，当在( 面区域204中出现电接触时，可以获得具有优越的操作电压特性的发光器件。根据实施例，因为第一连接层170的第一端连接到发光部101的第一导电型半导体层110的( 面区域，所以可以获得具有优越的操作电压特性的发光器件。保护构件180可以被设置在第二导电型半导体层130和132的外部区域中和第一保护层140、第一连接层170和第二欧姆接触层152上。第一保护层140包围第一和第二连接层170和185中的每一个，以防止第一导电型半导体层110和112与第二导电型半导体层130和132短路。保护构件180可以防止潮气渗透到在发光结构层135和导电支撑构件195之间的间隙内，并且也可以将发光部101与ESD保护部103电绝缘。另外，保护构件180完全地覆盖第一连接层170，以防止第一连接层电连接到任何其他元件。此外，保护构件180被布置在第一连接层170和ESD保护部103上。第二连接层185被设置在保护构件180和反射层160的顶表面上以及第一保护层 140的顶表面和侧表面上。第二连接层185将发光部101的第二导电型半导体层130电连接到ESD保护部103的第一导电型半导体层112。发光部101和ESD保护部103通过第一和第二连接层170和185而彼此并联。粘结层190可以用作粘合层。粘结层190可以被设置在第二连接层185上，以增强与导电支撑构件195的粘结力。导电支撑构件195可以被设置在粘结层190上。导电支撑构件195可以支撑发光结构层135，以向发光结构层135和电极198 —起提供电力。例如，导电支撑构件195可以由铜(Cu)、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)、铜-钨(Cu-W)以及载体晶片(例如，Si、Ge、GaAs、 ZnO.SiC等)的至少一种形成。导电支撑构件195可以具有根据发光器本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件，包括：导电支撑构件；发光部，所述发光部包括所述导电支撑构件上的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，其中，所述第二导电型半导体层电连接到所述导电支撑构件；静电放电（ＥＳＤ）保护部，所述静电放电（ＥＳＤ）保护部包括所述导电支撑构件上的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；第一连接层，所述第一连接层将所述发光部的所述第一导电型半导体层电连接到所述ＥＳＤ保护部的所述第二导电型半导体层；以及，保护构件，所述保护构件在所述ＥＳＤ保护部和所述第一连接层上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：丁焕熙，李尚烈，裵贞赫，崔光基，宋俊午，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR