发光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及发光装置及其制造方法。本发明专利技术的发光装置具备：包含发光层的半导体层，具有第一主面、与第一主面相反一侧的第二主面、以及连接第一主面和第二主面的第三主面；第一电极部和第二电极部，设置在半导体层的第二主面；第一绝缘膜，覆盖半导体层的第二主面和第三主面；以及金属层，层叠在第一电极部和第二电极部中的至少第二电极部上，并延伸到覆盖接近的第三主面的第一绝缘膜的延长部分上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
发光装置的用途已经扩大到照明装置、图像显示装置的背光源、以及显示器装置寸。近年来，发光装置的小型化要求越来越高。另外，为了提高量产性，提出了使包含发光层的半导体层在基板上结晶生长，通过激光的照射将基板从半导体层上剥离，并分割为多个的制造方法。但是，对于半导体层和设在该半导体层上的电极部的接触电阻，要求进一步低电阻化。
技术实现思路
本实施方式的发光装置具备包含发光层的半导体层，其具有第一主面、与所述第一主面相反一侧的第二主面、以及连接所述第一主面和所述第二主面的第三主面；第一电极部和第二电极部，设置在所述半导体层的所述第二主面；第一绝缘膜，覆盖所述半导体层的所述第二主面和所述第三主面；以及金属层，层叠在所述第一电极部和所述第二电极部中的至少所述第二电极部上。所述金属层延伸到对接近所述金属层的所述第三主面进行覆盖的所述第一绝缘膜的延长部分上。另外，另一实施方式的发光装置的制造方法具备在基板的第一主面上形成包含发光层的半导体层的工序；用第一绝缘膜覆盖所述半导体层的至少上表面及侧面的工序； 形成与所述半导体层导通的第一电极部及第二电极部的工序；在所述第一电极部和所述第二电极部中的至少所述第二电极部上层叠金属层，并将所述金属层延伸形成到对与所述金属层接近的所述侧面进行覆盖的所述第一绝缘膜的延长部分上的工序；用第二绝缘膜覆盖所述第一绝缘膜的工序；以及从与所述基板的所述第一主面相反一侧的第二主面侧向所述半导体层照射激光来从所述半导体层剥离所述基板，同时，隔着所述第一绝缘膜向所述金属层照射所述激光，加热所述金属层的工序。所述第一绝缘膜的带隙能量大于所述激光的能量°附图说明图1是第一实施方式的发光装置的截面示意图。图2是举例说明各种金属材料的能量密度(7 > - > ；^ :fluence)阈值的图。图3是图1中的主要部分的扩大截面图。图4是第二实施方式的发光装置的制造方法的流程图。图5是晶片状态下的实施方式的发光装置的制造方法的平面示意图。图6A 图12是第二实施方式的发光装置的制造方法的截面示意图。图13是第三实施方式的发光装置的截面示意图。具体实施例方式下面，参照附图说明本专利技术的实施方式。此外，附图是示意性或概念性的图，各部分的厚度和宽度的关系、部分间的大小比例系数等，未必限于和现实中相同。另外，即使表示相同部分的情况下，也有可能根据附图使相互的尺寸和比例系数不同地进行表示。另外，本申请的说明书和各附图中，对于和已提出的图中所述要素相同的要素，附以相同标记并适当省略详细说明。(第1实施方式)图1是举例说明第一实施方式的发光装置的截面示意图。本实施方式的发光装置110具备包含发光层的半导体层5，其具有第一主面5a、 与第一主面fe相反一侧的第二主面5b、以及连接第一主面fe和第二主面恥的第三主面 5c ；第一电极部14和第二电极部15，设置在半导体层5的第二主面恥上；第一绝缘膜13， 覆盖半导体层5的第二主面恥和第三主面5c ；金属层40 (B)，层叠在第一电极部14和第二电极部15中的至少第二电极部15上，并延伸到覆盖接近的第三主面5c的第一绝缘膜 13 (13c)的延长部分上。半导体层5包含发光层，该半导体层5以基板为支撑体来形成，并在形成后通过激光照射而将基板剥离(激光剥离)。半导体层5的第三主面5c是连接第一主面fe和第二主面恥的面。第三主面5c除了与第一主面fe或第二主面恥垂直设置的情况以外，还包括倾斜设置的情况。覆盖第三主面5c的第一绝缘膜13c可以透射上述激光。因此，第一绝缘膜13c的厚度(沿着与第三主面5c垂直方向的厚度)t被设为大于等于上述激光的波长。作为激光，例如，可以使用ArF激光(波长193nm)、KrF激光(波长248nm) ,XeCl 激光(波长308nm) ,XeF激光(波长353nm)。因此，第一绝缘膜13c的厚度t形成为大于等于上述激光的波长。图1中例示的发光装置110中，金属层40(A)对应设置在第一电极部14上，而金属层40(B)对应设置在第二电极部15上。下面，将金属层40(A)和金属层40(B)总称为金属层40。S卩，金属层40沿着第一电极部14和第二电极部15各自的表面来设置。另外，金属层40中，对应于第一电极部14的金属层40㈧延伸设置到覆盖接近的第三主面5c的第一绝缘膜13c (A)沿着第三主面5c的延长部分上。另外，金属层40中，对应于第二电极部15的金属层40⑶延伸设置到覆盖接近的第三主面5c的第一绝缘膜13c (B)沿着第三主面5c的延长部分上。通过这样的发光装置110，激光剥离时照射的激光透射覆盖第三主面5c的第一绝缘膜13c而照射在金属层40上。照射了激光的金属层40被激光的能量加热。通过金属层40的加热，第一电极部14和第二电极部15被加热。进而，半导体层5的与第一电极部14 和第二电极部15的接触部分分别被加热。通过该加热，半导体层5的体电阻、半导体层5 与第一电极部14和第二电极部15的接触电阻降低。这里，作为金属层40，可以使用通过透射第一绝缘膜13c的激光的照射会发生融化的材料。即，使用与照射的激光的能量密度相比，发生融化的能量密度阈值更低的材料。 这里，所谓的能量密度，是指每单位面积的激光的能量的量。例如，根据池田先生等人的“中部激光应用技术研究会，第41次研究会论文，各种金属材料的准分子激光器加工法，2001年2月23日”(中部 > 一〒応用技術研究会，第41 回研究会論文，各種金属材料O工3f ι > 一 Y加工法、平成13年2月23日)，各种金属材料的能量密度阈值如图2所示。图2所例示的数值是照射KrF激光时发生金属表面的融化的能量密度阈值(J/cm2)。因此，例如激光的能量密度为1. OJ/cm2时，可以使用包括具有小于等于该值的能量密度阈值的金属(例如Mg、Al、Ti、Fe、Ni、Cu、Zn、&、Ag)中的任意一种的材料。其中， 从制造的观点来看，更优选的是例如Al、Ti。金属层40分别接触第一电极部14和第二电极部15的表面。例如，金属层40分别直接接触第一电极部14和第二电极部15的表面。此外，金属层40也可以隔着中间层(未图示)分别接触第一电极部14和第二电极部15的表面。即，只要能从被加热的金属层40 分别向第一电极部14和第二电极部15传递热量即可。并且，金属层40在延伸设置的部分上与第一绝缘膜13c接触。即，与第一电极部 14对应设置的金属层40(A)中，延伸出的部分与覆盖第一电极部14侧的第三主面5c的第一绝缘膜13c (A)接触。另外，与第二电极部15对应设置的金属层40 (B)中，延伸出的部分与覆盖第二电极部15侧的第三主面5c的第一绝缘膜13c (B)接触。此外，金属层40也可以隔着中间层(未图示)与第一绝缘膜13c接触。S卩，只要透射第一绝缘膜13c的激光能照射金属层40即可。本实施方式的发光装置110在晶片状态下一起形成。半导体层5具有第一半导体层11和第二半导体层12。第一半导体层11是例如n型的GaN层，起电流的横向路径的作用。但是，第一半导体层11的导电类型并不限于η型，也可以是P型。发光装置110中，主要从第一半导体层11的第一主本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光装置，其特征在于，具备：包含发光层的半导体层，具有第一主面、与所述第一主面相反一侧的第二主面、以及连接所述第一主面和所述第二主面的第三主面；第一电极部和第二电极部，设置在所述半导体层的所述第二主面；第一绝缘膜，覆盖所述半导体层的所述第二主面和所述第三主面；以及金属层，层叠在所述第一电极部和所述第二电极部中的至少所述第二电极部上，其中，所述金属层延伸到对接近该金属层的所述第三主面进行覆盖的所述第一绝缘膜的延长部分上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：秋元阳介，外川隆一，伊藤弘，小岛章弘，猪塚幸，杉崎吉昭，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP