发光器件、制造发光器件的方法以及发光器件封装技术

一种发光器件、制造发光器件的方法以及发光器件封装。该发光器件包括：第一氮化物半导体和第二氮化物半导体，其中的每一个包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及被布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；和连接层，该连接层形成在第二氮化物半导体的第二导电类型半导体层和第一氮化物半导体的第一导电类型半导体层之间，其中通过连接层来连接第一氮化物半导体和第二氮化物半导体，并且发光器件进一步包括电极，该电极形成在第一氮化物半导体的第二导电类型半导体层的至少一部分、第二氮化物半导体的第一导电类型半导体层的至少一部分、以及第二氮化物半导体的第二导电类型半导体层的至少一部分上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光器件、制造发光器件的方法以及发光器件封装。
技术介绍
由于薄膜生长技术和元素材料的发展，诸如使用III-V或者II-VI族化合物半导体材料的发光二极管或者激光二极管的发光器件产生诸如红色、绿色、蓝色的各种颜色的光以及紫外线光，并且使用荧光材料或者通过颜色混合来产生白光。此外，与诸如荧光灯和白炽灯的传统的光源相比较，发光器件具有诸如低功率消耗、半永久寿命周期、快速响应速度、安全、以及环保的优点。因此，这些发光器件被越来越多地应用于光学通信单元的发射模块，替代组成液晶显示(LCD)装置的背光的冷阴极荧光灯管(CCFL)的发光二极管背光、替代荧光灯或者白炽灯的使用白色发光二极管的发光设备、用于车辆的头灯以及交通灯。
技术实现思路
因此，本专利技术涉及一种发光器件、制造发光器件的方法以及发光器件封装。本专利技术的目的是改进使用AC电源驱动并且发射光的发光器件。在随后的描述中将会部分地阐述本专利技术的额外的优点和特征，并且部分优点和特征对于已经研究过下面的描述的本领域技术人员来说将是显而易见的，或者部分优点或特征将通过本专利技术的实践来知晓。通过在给出的描述及其权利要求以本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件，包括：第一氮化物半导体和第二氮化物半导体，其中的每一个包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；和连接层，所述连接层形成在所述第二氮化物半导体的第二导电类型半导体层和所述第一氮化物半导体的第一导电类型半导体层之间，其中通过所述连接层来连接所述第一氮化物半导体和所述第二氮化物半导体，并且所述发光器件进一步包括电极，所述电极形成在所述第一氮化物半导体的第二导电类型半导体层的至少一部分、所述第二氮化物半导体的第一导电类型半导体层的至少一部分、以及所述第二氮化物半导体的第二导电类型半导体层的至少一部分上。

【技术特征摘要】
2010.05.24 KR 10-2010-00478331.一种发光器件，包括第一氮化物半导体和第二氮化物半导体，其中的每一个包括第一导电类型半导体层、 第二导电类型半导体层以及被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；和连接层，所述连接层形成在所述第二氮化物半导体的第二导电类型半导体层和所述第一氮化物半导体的第一导电类型半导体层之间，其中通过所述连接层来连接所述第一氮化物半导体和所述第二氮化物半导体，并且所述发光器件进一步包括电极，所述电极形成在所述第一氮化物半导体的第二导电类型半导体层的至少一部分、所述第二氮化物半导体的第一导电类型半导体层的至少一部分、以及所述第二氮化物半导体的第二导电类型半导体层的至少一部分上。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电极进一步形成在所述第一氮化物半导体的第一导电类型半导体层的暴露部分上。3.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括电流阻挡层，所述电流阻挡层形成在所述第二氮化物半导体的第二导电类型半导体层和所述第一氮化物半导体的第一导电类型半导体层之间。4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述电流阻挡层由金属或者绝缘材料形成。5.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述电极进一步形成在所述第一氮化物半导体的第一导电类型半导体的暴露部分上并且所述电流阻挡层对应于所述电极形成。6.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述电流阻挡层形成在所述连接层内。7.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述电流阻挡层由金属和材料形成，所述材料具有与另一材料的肖特基特性，并且被提供有电流的所述第二氮化物半导体或第一氮化物半导体的...

【专利技术属性】
技术研发人员：范熙荣，金省均，秋圣镐，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR