发光器件、发光器件封装以及照明系统技术方案

本发明专利技术提供发光器件、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括：衬底、发光结构层、第二电极、第一电极、接触部分、以及第一电极层。第一电极被布置在衬底中在有源层下面的区域中从衬底的下部到第一导电类型半导体层的下部。接触部分比第一电极宽并且接触第一导电类型半导体层的下部。第一电极层被布置在衬底下面并且被连接到第一电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光器件、发光器封装以及照明系统。
技术介绍
由于物理和化学特性，III-V族氮化物半导体被视为用于诸如发光二极管 (LED)和激光二极管(LD)的发光器件的核心材料。通常，III-V族氮化物半导体由具有 InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的组成式的半导体材料形成。LED是下述半导体器件，其被用作光源或者用于通过使用化合物半导体的特性将电转换为红外线或者光来发送信号。使用氮化物半导体材料的这样的LED或者LD被广泛地用作发光器件。例如，LED 和LD被广泛地用作诸如蜂窝电话的键区发光单元、电子显示器、以及照明装置的各种产品的光源。
技术实现思路
实施例提供具有新的电极结构的发光器件。实施例提供包括生长衬底和垂直电极结构的发光器件。实施例提供包括被布置在有源层的区域下面的第一电极和被布置在有源层的区域上的第二电极的发光器件。实施例提供更加可靠的发光器件、发光器件封装以及照明系统。在一个实施例中，发光器件包括衬底；发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、在第一导电类型半导体层上的有源层、以及在有源层上的第二导电类型半导体层；在发光结本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件，包括：衬底；发光结构层，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、在所述第一导电类型半导体层上的有源层、以及在所述有源层上的第二导电类型半导体层；第二电极，所述第二电极在所述发光结构层上；第一电极，所述第一电极被布置在所述衬底中并且从所述衬底的下部延伸到所述第一导电类型半导体层的下部，所述第一电极被布置在所述有源层的区域下面；接触部分，所述接触部分具有比被布置在所述衬底中的所述第一电极的宽度宽的宽度，并且所述接触部分被布置在所述第一导电类型半导体层的下部处；以及第一电极层，所述第一电极层被布置在所述衬底下并且被连接到所述第一电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金省均，林祐湜，金明洙，秋圣镐，罗珉圭，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR