一种LED芯片制造技术

本实用新型专利技术提出了一种LED芯片，包括P型GaN层、N型GaN层、设置在P型GaN层上的阳极以及设置在N型GaN层上的阴极；N型GaN层设置在P型GaN层上，阳极和阴极均是氧化锌电极。本实用新型专利技术的一种LED芯片，P型GaN层上的阳极以及N型GaN层上的阴极均采用氧化锌电极，可以大大的增加光子的出射率，从而提高了功率裸芯片的出光效率，降低了芯片的发热量。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种LED芯片，尤其涉及一种出光效率好的LED芯片。
技术介绍
LED (Lighting Emitting Diode)即发光二极管，是一种半导体固体发光器件。当 前节能环保是全球重要问题，低碳生活逐渐深入人心。在照明领域，功率LED发光产品的应 用正吸引着世人的目光，二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光源时代。LED具有节 能、环保、寿命长、结构牢固，响应时间快等特点，可以广泛应用于各种普通照明、背光源、显 示，指示和城市夜景等领域。LED光源制造流程分为芯片制备和封装。其中，功率LED芯片 一般制备工艺为，首先在衬底上通过MOCVD外延炉制作氮化镓基的外延片，接下来对LEDpn 结的两个电极进行加工，并对LED毛片进行减薄，划片；然后对毛片进行分选和测试。传统的电极一般采用Ni和Au来制作，由于P-GaN层表面沉淀一层用于电流扩散 的金属层，这个电流扩散层由Ni和Au组成，会吸收部分光，从而降低出光效率，制作的透明 电极对光的吸收率达到30% -40%。对于一般的正装型LED蓝光芯片而言，由于芯片表面 的电极和键合线的影响，出光面射出光子的25%左右被挡住或本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＬＥＤ芯片，包括Ｐ型ＧａＮ层、Ｎ型ＧａＮ层、设置在Ｐ型ＧａＮ层上的阳极以及设置在Ｎ型ＧａＮ层上的阴极；所述Ｎ型ＧａＮ层设置在Ｐ型ＧａＮ层上，其特征在于：所述阳极和阴极的均是氧化锌电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：席俭飞，潘世强，
申请(专利权)人：西安麟字半导体照明有限公司，
类型：实用新型
国别省市：87