发光器件制造技术

技术编号:6684833 阅读:171 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种发光器件。根据实施例的发光器件可以包括第一电极;包括第一电极上方的第一半导体层、第一半导体层上方的有源层、以及有源层上方的第二半导体层的发光结构;第二半导体层上方的第二电极;以及连接构件,该连接构件具有与第一半导体层接触的一端和与第二半导体层接触的另一端以与第一和第二半导体层中的一个形成肖特基接触。

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及一种发光器件
技术介绍
发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。LED已经被广泛地用作 用于显示装置、车辆、或者照明装置的光源。另外,LED能够通过采用包括发光材料的成型 构件或者组合具有各种颜色的LED展示具有优异的光效率的白色。LED对于ESD (静电放电)或者浪涌现象的耐受力很弱,使得要求进行改进。
技术实现思路
实施例提供具有新颖的结构的发光器件。实施例提供能够防止ESD或者浪涌现象的发光器件。实施例提供当出现ESD或者浪涌现象时能够使电流路径绕路的发光器件。实施例提供能够提高发光效率的发光器件。实施例提供能够最小化缺陷率同时提高其可靠性的发光器件。根据实施例的发光器件可以包括第一电极;包括第一电极上方的第一半导体 层、第一半导体层上方的有源层、以及有源层上方的第二半导体层的发光结构;第二半导体 层上方的第二电极;以及连接构件,该连接构件被电气地连接到第二电极并且被布置在第 二半导体层和第一半导体层之间,同时与第一半导体层形成肖特基接触。根据实施例的发光器件可以包括第一电极,该第一电极包括具有导电性的支撑 构件;第一电极上方的包括第一半导体层、有源层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件,包括:第一电极;发光结构,所述发光结构包括所述第一电极上方的第一半导体层、所述第一半导体层上方的有源层、以及所述有源层上方的第二半导体层;所述第二半导体层上方的第二电极;以及连接构件,所述连接构件被电气地连接到所述第二电极,并且被布置在所述第二半导体层和所述第一半导体层之间,同时与所述第一半导体层形成肖特基接触。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:丁焕熙
申请(专利权)人:LG伊诺特有限公司
类型:发明
国别省市:KR

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