一种垂直结构发光二极管制造技术

一种垂直结构发光二极管，涉及光电技术领域。本实用新型专利技术发光二极管包括衬底，在衬底上方依次叠加的反射金属层、P型半导体层、量子阱有源区和N型半导体层。P型半导体层、量子阱有源区和N型半导体层的侧壁以及N型半导体层的顶面覆盖有绝缘保护层，N型半导体层上置有两个N型电极。其结构特点是，所述衬底上的一端置有与N型电极同方向的第三电极。本实用新型专利技术在芯片的N面形成了一个新的第三电极作为测试电极，实现了对垂直芯片的大规模、高效率测试，测量数据准确。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光电
，特别是垂直结构发光二极管。
技术介绍
大功率半导体发光二极管具有取代白炽灯和荧光灯，进而成为下一代照明光源的巨大前途，但是，首先要解决的是其自身技术问题。半导体发光二极管由于其结构不同可以划分为正装结构和垂直结构两大类。以蓝宝石为主要生长衬底的正装结构的传统的氮化镓基半导体发光二极管的主要问题包括电流拥塞、电流密度低、散热效率低等。为解决正装结构大功率氮化镓基半导体发光二极管的诸多问题，垂直结构LED芯片的制造方法逐渐受到重视，此种结构的LED芯片与传统正装结构的芯片相比，具有导热效率高、电流分布均勻、电流拥塞改善、电流密度增大、充分利用有源区等优点，是新一代的大功率LED芯片制造技术。半导体发光二极管LED芯片，在出厂前必须进行光电性能测试，以确定芯片的性能指标。但是，垂直结构LED芯片由于其上下电极的特性，无法像传统正装结构LED芯片那样批量测量。现有技术中，对垂直结构LED芯片的测量要么单颗测量，要么在LED芯片分离前进行测量。前者耗时耗力，不适于产业化生产，后者由于LED芯片分离会导致其光电特性不规则变化，影响LED芯片最终的性能数据。
技术实现思路
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【技术保护点】
１．一种垂直结构发光二极管，它包括衬底（１０７），在衬底（１０７）上方依次叠加的反射金属层（１０５）、Ｐ型半导体层（１０４）、量子阱有源区（１０３）和Ｎ型半导体层（１０２），Ｐ型半导体层（１０４）、量子阱有源区（１０３）和Ｎ型半导体层（１０２）的侧壁以及Ｎ型半导体层（１０２）的顶面覆盖有绝缘保护层（１０８），Ｎ型半导体层（１０２）上置有两个Ｎ型电极（１０９），其特征在于，所述衬底（１０７）上的一端置有与Ｎ型电极（１０９）同方向的第三电极（１１０）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：纪涛，郭德博，张华东，刘刚，
申请(专利权)人：同方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11