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一种垂直结构发光二极管，涉及光电技术领域。本实用新型发光二极管包括衬底，在衬底上方依次叠加的反射金属层、P型半导体层、量子阱有源区和N型半导体层。P型半导体层、量子阱有源区和N型半导体层的侧壁以及N型半导体层的顶面覆盖有绝缘保护层，N型半导...
该专利属于同方光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过同方光电科技有限公司授权不得商用。

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