发光二极管及其制造方法技术

一种发光二极管及其制造方法，包括以下步骤：提供一第一衬底，并于所述第一衬底一侧表面、沿所述第一衬底的高度方向依次向外延伸形成一n型氮化镓层、一发光量子阱层、一p型氮化镓层；于所述p型氮化镓层外侧表面、沿其高度方向形成一第二衬底；剥离所述第一衬底，使n型氮化镓层外露，并于外露的n型氮化镓层的外表面上形成一接触面；提供一透明导电层，并使所述透明导电层位于所述接触面上，提供至少一电极，将所述电极固定于所述透明导电层上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光电元件及其制造方法，特别是指一种。
技术介绍
传统的发光二极管包括一有源区、设置于有源区相对两侧的一 η型氮化镓 (n-GaN)层及一 ρ型氮化镓(p_GaN)层，其中，η型氮化镓(n-GaN)层相对有源区的外侧上设置有一 η型电极，ρ型氮化镓(p-GaN)层相对有源区的另一外侧上设置有一 ρ型电极。η 型电极及P型电极通电后，使η型氮化镓(n-GaN)层与ρ型氮化镓(p_GaN)层之间产生电势，使电子自η型电极通过η型氮化镓(n-GaN)层流向ρ型氮化镓(p_GaN)层并与ρ型氮化镓(p-GaN)层内的电洞结合。因电子倾向于二电极之间的最短或较低电阻值的路径流动， 但如果所述流动路径面积发生减缩或分布不够均勻时会导致电流拥挤现象，造成局部发热过大，降低了发光二极管的寿命。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种性能稳定、发光效率高的发光二极管及制造该发光二极管的方法。一种发光二极管，包括一导电衬底、自该导电衬底一侧表面沿高度方向依次排列的一 P型氮化镓层、一发光量子阱层及一 η型氮化镓层，所述η型氮化镓层远离P型氮化镓层的外侧表面上形成一接触面，一透明导电层固定于本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光二极管，包括一导电衬底、自该导电衬底的一侧表面沿高度方向依次排列的一ｐ型氮化镓层、一发光量子阱层及一ｎ型氮化镓层，其特征在于：所述ｎ型氮化镓层于远离ｐ型氮化镓层的外侧表面上形成一接触面，一透明导电层固定于所述接触面上，至少一电极设置于所述透明导电层上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赖志成，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94