发光器件、发光器件封装、以及照明系统技术方案

本发明专利技术涉及一种发光器件、发光器件封装、以及照明系统。提供一种发光器件。所述发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；第一电介质层，该第一电介质层在发光结构的上表面的部分的上方；以及焊盘电极，该焊盘电极在第一电介质层上方。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及发光器件、发光器件封装、以及照明系统。
技术介绍
通过具有将电能转换为光能的特性的P-N结二极管可以制造发光器件(LED)。在此，通过将周期表的111族元素和V族元素化合可以形成P-N结二极管。LED可以通过调整化合物半导体的组成比率来发射各种颜色。同时，根据现有技术，存在下述问题，当静电放电(ESD)出现时电流反向地流动， 使得作为发光区域的有源层被损坏。为了解决此问题，齐纳二极管被安装到封装上；然而， 在这样的情况下存在减少光吸收的问题。此外，根据现有技术，由于通过N型电极反射在N型电极下面发射的光，所以发光的效率被减少。此外，根据相关技术，由于被反射的光的再吸收，产生了热。另外，根据现有技术，由于电流集边(current crowding)会降低可靠性并且缩短寿命ο
技术实现思路
实施例提供了能够防止由于静电放电(ESD)导致的损坏，同时没有光吸收的损耗的发光器件、发光器件封装、以及照明系统。实施例还提供不仅能够增加电流扩展的效率，而且提高光提取效率的发光器件、 发光器件封装、以及照明系统。在一个实施例中，发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、 有源层本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；第一电介质层，所述第一电介质层在所述发光结构的上表面的部分的上方；以及焊盘电极，所述焊盘电极在所述第一电介质层上方。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄盛珉，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR