【技术实现步骤摘要】
一种高频晶体管
本技术涉及一种微电子元器件，更具体地说，涉及一种高频晶体管。
技术介绍
传统的晶体管，由于金的电导率高、物理化学性质相对稳定，易于淀积电镀，与其他金属的热匹配较好，因此常用来作为晶体管芯片的背金材料，即在外延片背面采用蒸发、 溅射等方法背金。虽然金与硅的结合产生的接触电阻已很小，但是超高频晶体管由于其高频特性的特殊需要，要求各个结之间的接触电阻、接触电容等越小越好，单纯金材料不是背金材料的最佳选择。所述现有技术的缺陷值得改进。
技术实现思路
本技术的目的在于针对上述技术缺陷，提供一种高频晶体管，该一种高频晶体管可降低晶体管的高频损耗、提高高频特性。本技术的技术方案如下所述一种高频晶体管，包括外延片，其特征在于所述外延片背面设有背金层，所述背金层包括金属Pt层、Ni层、Cr层、W层、Au层。根据上述结构的本技术，其特征还在于，所述由Pt层、Ni层、Cr层、W层、Au 层所形成的背金层的总厚度为1 士0. ISym0根据上述结构的本技术，其特征还在于，所述外延片与背金层总厚度小于140 微米。根据上述结构的本技术，其有益效果在于，本技术经超减薄后采用五层金属依次溅射在外延片背面，在构成外延片的Si (硅)层、Pt(钼)层、Ni (镍)层、Cr(铬) 层、W(钨)层、Au(金)层中，相邻层材料之间具有良好的匹配性，可以相互之间的接触电阻达到最小，最终导致整体的接触电阻都较小，可降低晶体管的高频损耗，提高高频特性。本技术广泛应用在微电子电路中，能耗低，寿命长。附图说明附图1为本技术结构示意图。在附图中，1、外延片；2、Pt层；3、Ni层；4、Cr层...
【技术保护点】
１．一种高频晶体管，包括外延片，其特征在于：所述外延片（１）背面设有背金层，所述背金层包括Ｐｔ层（２）、Ｎｉ层（３）、Ｃｒ层（４）、Ｗ层（５）、Ａｕ层（６）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：白云，
申请(专利权)人：深圳市格莱德科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94
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