【技术实现步骤摘要】
一种晶体管耦合电路
本技术涉及晶体管耦合电路，更具体地说，涉及一种用于锂离子电池组中各保护电路芯片输出控制端与被控制的功率MODFET的耦合的晶体管耦合电路。
技术介绍
目前，公知的多串保护电路，各保护IC的控制端与充电放电开关MOSFET的耦合方式有MOSFET耦合，光电耦合，比较器耦合。但是这几种耦合方式都存在一些缺陷，自耗电流大到l_2mA不利于荷电存放时间较长场合，保护电路对各节电池的消耗差别很大，使电池组中个电池电量不均勻。耐电压冲击能力差。所述现有技术的缺陷值得改进。
技术实现思路
本技术的目的在于针对上述技术缺陷，提供一种晶体管耦合电路，该一种晶体管耦合电路自耗电流小。本技术的技术方案如下所述一种晶体管耦合电路，其特征在于三极管Ql 的发射极是外接端P并作为电源正极；三极管Ql的基极连接电阻R1，电阻Rl的另一端是外界输入控制端A，三极管Ql的集电极连接电阻R2，电阻R2的另一端连接三级管Q3的基极和电阻R4，电阻R4另一端连接三极管Q2的集电极；三极管Q3的集电极连接电阻R5并作为外接输出端Y ；电阻R5另一端连接三极管Q2的发射极并作为外接电源中间端Q ；三极管Q2的基极连接电阻R3，电阻R3的另一端作为外接输入控制端B ；三极管Q3的发射极作为外接电源负极端R，在输入端A和Ql的基极之间接入晶体管反相极，在输出端B和Q2的基极之间接入晶体管反相极。根据上述结构的本技术，其有益效果在于，本技术电路简单，自耗电流小，适用范围大。附图说明附图1为本技术一实施例电路图；附图2为本技术另一实施例电路图。具体实施方式以下结合附图以及实施方式对本技术...
【技术保护点】
１．一种晶体管耦合电路，其特征在于：三极管Ｑ１的发射极是外接端Ｐ并作为电源正极；三极管Ｑ１的基极连接电阻Ｒ１，电阻Ｒ１的另一端是外界输入控制端Ａ，三极管Ｑ１的集电极连接电阻Ｒ２，电阻Ｒ２的另一端连接三级管Ｑ３的基极和电阻Ｒ４，电阻Ｒ４另一端连接三极管Ｑ２的集电极；三极管Ｑ３的集电极连接电阻Ｒ５并作为外接输出端Ｙ；电阻Ｒ５另一端连接三极管Ｑ２的发射极并作为外接电源中间端Ｑ；三极管Ｑ２的基极连接电阻Ｒ３，电阻Ｒ３的另一端作为外接输入控制端Ｂ；三极管Ｑ３的发射极作为外接电源负极端Ｒ，在输入端Ａ和Ｑ１的基极之间接入晶体管反相极，在输出端Ｂ和Ｑ２的基极之间接入晶体管反相极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：白云，
申请(专利权)人：深圳市格莱德科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94
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