【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于高压集成电路的电平转换电路，特别是高压集成电路HVIC 中将信号从低压区传到高压区的电路设计，该电平转换电路还涉及到高压集成电路中的高压DMOS技术。
技术介绍
高压集成电路是一种带有欠压保护、逻辑控制等功能的栅极驱动电路，它将电力电子与半导体技术结合，逐渐取代传统的分立元件，越来越多地被应用在IGBT、大功率 MOSFET的驱动领域。高压集成电路有低压区和高压区，在高压集成电路工作过程中，其高压区的最低电平需要在ο 600V或0 1200V之间进行高速切换，由于寄生电容CM的存在，寄生电容的电压在跟随切换时需要一段充电时间，此充电过程会引起高压集成电路的输出异常。参见图1，为现有应用于高压集成电路的内部结构及外围元件接法图。高压集成电路100由脉冲发生电路101、高压DMOS管102、高压DMOS管103、下桥臂控制电路118、高压区104组成，图1中还给出了高压DMOS管102的漏-源寄生电容122， 高压DMOS管103的漏-源寄生电容123。信号输入125通过高压集成电路100的输入端IN分别进入脉冲发生电路101和下桥臂控制电路1...
【技术保护点】
１．一种用于高压集成电路的电平转换电路，包括脉冲发生电路（６０１）、高压ＤＭＯＳ管（６０２）、高压ＤＭＯＳ管（６０３）、下桥臂控制电路（６１８）、高压区（６０４），其中，电容（６２２）为高压ＤＭＯＳ管（６０２）的寄生电容，电容（６２３）为高压ＤＭＯＳ管（６０３）的寄生电容，其特征是还包括位于低压区的快速充电电平转换电路（６１１）和位于高压区的快速充电电平转换电路（６０６），输入信号（６２５）通过高压集成电路（６００）的ＩＮ端进入脉冲发生电路（６０１）和下桥臂控制电路（６１８），脉冲发生电路（６０１）的第一输出端Ａ连接高压ＤＭＯＳ管（６０２）的栅极和快速充电电平转换电路（６１...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，黄祥钧，程德凯，潘志坚，华庆，陈超，
申请(专利权)人：广东美的电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：44
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