一种正高压电平转换电路制造技术

本发明专利技术公开了属于集成电路设计技术领域的一种正高压电平转换电路。本发明专利技术的连接关系如下：VIN输入电压连接INV1反相器和第一自举电路的公共节点，INV1反相器还与第二自举电路连接，电压转换电路分别与第一自举电路、第二自举电路和VOUT输出电压连接。本发明专利技术的有益效果为：电路结构简单、转换速度快、功耗小。两个自举电路将低压控制信号的摆幅增大一倍，增强了电压转换电路中两个高压NMOS晶体管的驱动能力，从而减小了电压转换电路在电压转换过程中下拉NMOS晶体管与上拉PMOS晶体管间严重的竞争，降低了高压转换的功耗，本发明专利技术在很低的电源电压下仍然能够正常工作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路设计
，特别涉及一种正高压电平转换电路。
技术介绍
目前，闪存(Flash memory)广泛应用在手机、相机、掌上电脑等便携式设备中，它具有掉电数据不丢失、高编程速度、高集成度等优点。图1是一个传统闪存单元的剖面图， 它是由多晶硅控制栅10和浮栅12组成的叠栅结构。在P型衬底16上，通过注入形成η+ 结构的源极14和漏极15。另外，浮栅12和ρ型衬底16间用第二绝缘层13隔离，多晶硅控制栅10与浮栅12之间用第一绝缘层11隔离。这种叠栅结构，使得从多晶硅控制栅10看到的存储单元的阈值电压，取决于浮栅12中电子的数量。闪存单元采用R)wler-N0rdheim(简称F_N)隧穿效应进行编程、擦除操作。表1 是闪存单元进行各种操作时控制栅极、漏极、源极上的典型电压。操作控制栅漏极区源极区编程10V-5V-5V擦除-5V10V10V读取2. 5V0. 8VOV表 1从上表可以看出，当存储器进行不同操作时，均需要施加正高压，这就需要一个能够将输入的数据转化为相应的正高压的正高压电平转换电路。图2是一个传统的正高压电平转换电路。当IN输入电压为OV时，通过IN本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种正高压电平转换电路，其特征在于，它的连接关系如下：ＶＩＮ输入电压连接ＩＮＶ１反相器（４０）和第一自举电路（４１）的公共节点，ＩＮＶ１反相器（４０）还与第二自举电路（４２）连接，电压转换电路（４３）分别与第一自举电路（４１）、第二自举电路（４２）和ＶＯＵＴ输出电压连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王雪强，刘培军，潘立阳，伍冬，周润德，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11