一种基于BCD工艺的level shifter电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种基于BCD工艺的level?shifter电路，它包括依次串联在一外部电源与地之间的第一限流模块和第一MOS管、依次串联在所述外部电源与地之间的第二限流模块和第二MOS管、并联在所述第一MOS管的漏极和源极之间的第一电压钳位模块以及并联在所述第二限流模块两端的且相互串联的第二电压钳位模块和第三限流模块。本实用新型专利技术有效避免了电平转换电路本身MOS管的栅源电压VGS过大的问题，同时电路输出的电压又可以去开启和关闭后面的被控电路，而不会造成其损坏。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路，尤其涉及一种用于列驱动电路的基于BCD工艺(在同一芯片上制作双极管bipolar、CMOS和DMOS器件的单片集成工艺)的level shifter (电平转换)电路。
技术介绍
在用于大尺寸TFT-LCD屏的列驱动电路(Source Driver)中，当采用 HV (HighVoltage，高压)CMOS工艺开发时，由于该工艺提供的MOS管的阈值电压大、跨导小、 导通电阻大，因此，对于大负载应用而言，其输出电路的面积会比较大。为了解决上述问题， 业内人士开始利用BCD工艺中的LDMOS器件的跨导大、导通电阻小的特征，基于BCD工艺， 开发用于大尺寸TFT-LCD屏的列驱动电路，从而减小输出电路的面积，缩小列驱动电路的面积。如图1所示，在上述的基于B⑶工艺开发的列驱动电路中，通常是采用在MOS管的栅极加控制电压来实现对电路的开闭控制的，即在PMOS管M2’的栅极输入一使能控制信号 VCP,在NMOS管M3，的栅极输入一使能控制信号VCN，通过改变使能控制信号VCP、VCN的大小来开闭PMOS管Ml’和NMOS管M4’ ；具体来说，当使能控制信号VCP与模拟地GN本文档来自技高网...

【技术保护点】
压钳位模块和第三限流模块之间输出第二使能输出信号。一电压钳位模块以及并联在所述第二限流模块两端的且相互串联的第二电压钳位模块和第三限流模块，其中，所述第一ＭＯＳ管的栅极接收一使能输入信号，其漏极输出第一使能输出信号；所述第二ＭＯＳ管的栅极与所述第一ＭＯＳ管的漏极连接，其源极接地；所述第二电１．一种基于ＢＣＤ工艺的ｌｅｖｅｌ　ｓｈｉｆｔｅｒ电路，其特征在于，所述电路包括依次串联在一外部电源与地之间的第一限流模块和第一ＭＯＳ管、依次串联在所述外部电源与地之间的第二限流模块和第二ＭＯＳ管、并联在所述第一ＭＯＳ管的漏极和源极之间的第

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：覃正才，吴大军，刘启付，吕回，牛祺，李长虹，郑佳鹏，胡冬梅，左言胜，
申请(专利权)人：上海贝岭股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31