一种高压电平位移电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高压电平位移电路。针对现有的高压电平位移电路不能同时减小电路版图面积和解决电路存在输出初始状态不定的问题，本实用新型专利技术提出了一种高压电平位移电路，包括脉冲产生电路、脉冲整形电路、第一偏置电路、箝位电路、LDMOS管、第二偏置电路、滤波电路和信号恢复电路。相比现有的高压电平位移电路使用两个LDMOS管，本实用新型专利技术的电平位移电路只使用了一个LDMOS管，因而减小了电路版图面积；同时通过所述的信号恢复电路，解决了高压电平位移电路输出初始状态不定的问题，在减小版图面积的同时，实现了正确输出电平位移信号的功能。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于芯片设计
，尤其涉及一种电平位移电路的设计。
技术介绍
现在市场上很多半导体集成电路驱动芯片或者功率电子芯片系统中，都存在不同的电源电压，有的电源电压只有几伏，有的电源电压则高达几十伏。为了将它们应用在各种不同的外接电子设备或装置中，必须在这些设备或者装置与使用不同电源电压的驱动芯片或者功率电子芯片系统之间提供接口，从而必须在半导体集成电路中使用从高压转换低压或者低压转换高压的电平位移电路。现有的一种典型的高压电平位移电路如图1所示，包括两个窄脉冲产生电路A和 B、两个脉冲滤波电路A和B和信号恢复电路，该电路将输入控制信号的上升沿和下降沿分别用窄脉冲表征，通过高压LDMOS管M9和MlO及其负载电阻Rl和R2组成的偏置电路进行电平位移，通过信号恢复电路进行控制信号的恢复，这里的信号恢复电路是通过RS触发器实现的。该电路的优点是功耗低，可以适用于高压应用。但是，由于要将控制信号的上升沿和下降沿分别转换成窄脉冲，就需要两个高压LDMOS管，而LDMOS管的面积较大，随之造成高压电平位移电路的版图面积的较大。在文献“武振宇、方健、乔明、李肇基，单路LDMOS实现的高压电本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种高压电平位移电路，包括脉冲产生电路、脉冲整形电路、第一偏置电路、箝位电路、ＬＤＭＯＳ管、第二偏置电路、滤波电路和信号恢复电路，输入电压接到脉冲产生电路的输入端，脉冲产生电路的输出端接到脉冲整形电路输入端，脉冲整形电路的输出端接到ＬＤＭＯＳ管的栅极，第一偏置电路和箝位电路并联，并连接到ＬＤＭＯＳ管的漏极和滤波电路的输入端，第二偏置电路连接到ＬＤＭＯＳ管的源极，滤波电路的输出端连接到信号恢复电路的输入端，信号恢复电路的输出端输出的信号即为输出电压信号，其特征在于，信号恢复电路由第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第五反相器、第六反相器、第七反相器、第八反相器，第一与非门、第二与...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：方健，柏文斌，管超，吴琼乐，王泽华，陈吕赟，杨毓俊，罗杰，李文昌，于廷江，黄国辉，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：实用新型
国别省市：90