本发明专利技术提供一种顶针及具有该顶针的等离子体刻蚀装置，属于半导体技术领域，其兼具良好的韧性和耐腐蚀性。本发明专利技术的顶针包括韧性针体，且所述顶针至少在前端具有耐腐蚀表面。本发明专利技术的等离子体刻蚀装置包括上述顶针。本发明专利技术可用于半导体制造工艺中。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种顶针及具有该顶针的等离子体刻蚀装置，尤其涉及用于半导体工艺中的顶针及等离子体刻蚀装置。
技术介绍
在集成电路制造过程中，需要在晶片上形成微细尺寸的图形(pattern)，等离子体刻蚀是产生图形的一种重要方法。在现有的等离子体刻蚀设备中，如图1所示，刻蚀进行时被加工的晶片3被吸附在静电卡盘2上；而当要将晶片3传入或传出加工腔室7时，如图2 和图3所示，升降装置6使四根穿过静电卡盘2的顶针1上升(升针)，从而将晶片3水平托起，以便机械手取放晶片3。在工作一定时间后，等离子体刻蚀设备的腔室7需进行等离子体刻蚀清洗，此时各顶针1处于下降(降针)位置，因静电卡盘2上不设置晶片，故各顶针1的前端暴露在清洗用的等离子体中。显然，上述顶针应具有良好的韧性，以防其在装配和使用过程中被折断或损坏；且顶针还需要有良好的耐腐蚀性，否则会在清洗工艺中被逐渐腐蚀耗损，造成各顶针的长度不同，影响晶片水平度，产生晶片侧滑。现有的顶针主要有两种，一种由树脂材料制造，其韧性较好，但耐腐蚀性不足；另一种由陶瓷材料制造，其耐腐蚀，但韧性较差。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种顶针，其兼具良好的韧性和耐腐蚀性。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案一种顶针，包括韧性针体，且所述顶针至少在前端具有耐腐蚀表面。由于本专利技术的实施例的顶针具有韧性针体，且顶针前端的表面耐腐蚀，故该顶针兼具良好的韧性和耐腐蚀性。本专利技术的实施例提供一种等离子体刻蚀装置，其中的顶针兼具良好的韧性和耐腐蚀性。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案一种等离子体刻蚀装置，包括上述顶针，所述顶针用于将刻蚀基底托起。由于本专利技术的实施例的等离子体刻蚀装置包括上述顶针，故其中的顶针兼具良好的韧性和耐腐蚀性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为现有的等离子体刻蚀装置降针时的结构示意图2为现有的等离子体刻蚀装置升针时的结构示意图；图3为现有的等离子体刻蚀装置升针时静电卡盘处的结构示意图；图4为本专利技术实施例一的顶针的结构示意图；图5为本专利技术实施例的另一种顶针的结构示意图；图6为本专利技术实施例的另一种顶针的结构示意图；图7为本专利技术实施例的另一种顶针的结构示意图；图8为本专利技术实施例二的顶针的结构示意图；图9为本专利技术实施例三的等离子体刻蚀装置的结构示意图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种顶针，包括韧性针体，且所述顶针至少在前端具有耐腐蚀表面。由于本专利技术的实施例的顶针具有韧性针体，且顶针前端的表面耐腐蚀，故该顶针兼具良好的韧性和耐腐蚀性。实施例一本专利技术实施例提供一种顶针，其包括长形的韧性针体4，该针体4直径为1 3mm， 长度为40 IOOmm ；韧性针体4由具有良好韧性的材料制造，例如!^e-Mn-Si合金、Cu-Zn-Al 合金、Ni-Al合金、Ni-Ti合金等形状记忆合金材料；也可为其它金属材料；也可为树脂材料等。显然，该韧性针体4可通过任何公知的方法制造，例如可直接浇铸得到金属或合金的针体4 ；也可直接注塑成型得到树脂针体4 ；也可先制造针体的坯料后再通过机械加工的方法得到针体4。本专利技术实施例的顶针还包括耐腐蚀层5，该耐腐蚀层5构成顶针前端的耐腐蚀表面。如图4所示，该耐腐蚀层5至少分布在针体4的前端的表面上，但也可如图5至图7所示，在针体4前端1/10或1/3部分的表面上均有分布，当然也可在针体4的全部表面上都有分布。该耐腐蚀层5可为由任何耐腐蚀的材料组成的层，例如为由氧化铝陶瓷等组成的陶瓷层，该陶瓷层厚度优选在50 100 μ m。耐腐蚀层5与韧性针体4间的关系可为多种不同的形式，例如，可如图5所示，耐腐蚀层5为在针体4的表面外形成的层；也可如图6所示，耐腐蚀层5为由针体4本身的表层部分的材料形成的层(如氧化层或改性层)；也可如图7所示，耐腐蚀层5为与针体4分开的、可“套”在针体上的层。显然，该耐腐蚀层5可通过公知的方法制造，例如可直接在针体4表面涂覆得到耐腐蚀层5 ；也可采用物理气相沉积法(PVD)和化学气相沉积法(CVD)直接在针体4上沉积耐腐蚀层5 ；也可先通过PVD法等在针体4上制造金属层，再通过化学氧化、阳极氧化等将金属层氧化为陶瓷层5 ；也可利用烤瓷技术，先在针体4表面形成陶瓷溶胶，再烧结得到陶瓷层5 ；也可直接将金属针体4的表层部分的材料氧化得到陶瓷层5 ；也可对针体4的表面进行改性处理形成耐腐蚀层5 ；也可先单独制造出耐腐蚀层5后再将该耐腐蚀层5与针体4相结合。本专利技术的针体具有良好的韧性，故在装配、使用等过程中不易被折断、损坏，且在受到冲击变形后可恢复到原始长度；而由于针体前端具有耐腐蚀层，故顶针不会在等离子体清洗过程中被腐蚀，长度不发生变化，使用寿命长。实施例二如图8所示，本专利技术实施例提供一种顶针，该顶针包括韧性针体4和耐腐蚀针体 13。其中韧性针体4可为实施例一中的韧性针体4 ；而耐腐蚀针体13可由陶瓷制造，并通过粘结、焊接、插接、套接、卡接等任何方式连接在韧性针体4的前端，该耐腐蚀针体13的表面构成顶针前端的耐腐蚀表面。实施例三如图9所示，本专利技术实施例提供一种等离子体刻蚀装置，其包括实施例一或实施例二的顶针1，该顶针1用于将刻蚀基底(晶片)3托起。可选的，等离子体刻蚀装置还包括装在刻蚀腔室7下方的升降装置6，上述顶针1 穿过静电卡盘2连接入升降装置6中，升降装置6可驱动顶针1升起或降低。在腔室7上还有连接工艺气体系统的接口 10和连接真空系统的接口 11，等离子体刻蚀装置的两个电源接头8、9分别通过两个匹配器与两个射频电源相连接。由于本专利技术的实施例的等离子体刻蚀装置包括上述顶针，故其中的顶针兼具良好的韧性和耐腐蚀性。以上所述，仅为本专利技术的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。因此，本专利技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。权利要求1.一种顶针，其特征在于，包括韧性针体，且所述顶针至少在前端具有耐腐蚀表面。2.根据权利要求1所述的顶针，其特征在于，所述韧性针体至少在前端的表面具有耐腐蚀层，所述耐腐蚀层构成所述顶针前端的耐腐蚀表面。3.根据权利要求2所述的顶针，其特征在于，所述针体前端1/10的部分的表面具有所述耐腐蚀层。4.根据权利要求2所述的顶针，其特征在于，所述针体前端1/3的部分的表面具有所述耐腐蚀层。5.根据权利要求2所述的顶针，其特征在于，所述耐腐蚀层为陶瓷层。6.根据权利要求5所述的顶针，其特征在于，所述陶瓷层厚度为50μ m 100 μ m。7.根据权利要求1所述的顶针，其特征在于，所述顶针还包括耐腐蚀针本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种顶针，其特征在于，包括韧性针体，且所述顶针至少在前端具有耐腐蚀表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李俊杰，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11
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