【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于纳米无机非金属半导体与光电材料科学与工程
，具体涉及一种两步氮化法制备多孔氮化铝(AlN)微粒或多孔氮化镓(GaN)微粒的方法。
技术介绍
具有孔结构的多孔AlN或GaN微粒及以其为基形成的多孔III族合金氮化物微粒因高的比表面积、增强的光电响应特性、增强的非线性光学特性以及光催化特性等，在储氢、燃料电池、光催化裂解水、紫外探测与传感器以及非线性光学等领域具有极大的应用前景。故对多孔AlN或GaN微粒的研究已成为多孔半导体研究领域的一个重要研究热点。然而到目前为止，多孔AlN或GaN半导体微粒仍不能在相应领域得到广泛应用的主要原因是 不能有效地合成出这些多孔半导体微粒或用现有方法制备出的多孔氮化铝微粒，孔的比表面积小，孔占有空间小，无法在实际中得到应用。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种两步氮化法制备多孔氮化铝(AlN)微粒或多孔氮化镓 (GaN)微粒的方法，解决了现有技术无法有效地合成出多孔AlN或GaN微粒或制备出的多孔 AlN或GaN微粒孔比表面积小、孔占有空间小，无法在实际中得到应用的问题。本专利技术采用的技术方案为，，包括以下操...
【技术保护点】
１．两步氮化法制备多孔氮化铝微粒或多孔氮化镓微粒的方法，其特征在于，包括以下操作步骤：步骤１，原料配制：原料由Ａ组份和Ｂ组份组成；Ａ组份占整个原料的重量百分比为１０～９０％ｗｔ；如果要制备多孔氮化铝微粒：Ａ组份为工业纯Ａｌ块；Ｂ组份为工业纯Ｍｇ块、工业纯Ｌｉ块或工业纯Ｃａ粒中的一种，或任意两种或三种以任意比例组成的混合物；如果要制备多孔氮化镓微粒：Ａ组份为液体Ｇａ；Ｂ组份为工业纯Ｍｇ块、工业纯Ｌｉ块或工业纯Ｃａ粒中的一种，或任意两种或三种以任意比例组成的混合物；步骤２，合金的熔炼和配制：将配好的原料放入坩埚，然后连同坩埚一起放入加热炉中熔炼成相应的合金；步骤３，合金体的破碎...
【技术特征摘要】
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