【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于纳米无机非金属半导体与光电材料科学与工程
，具体涉及一种去除多孔氮化铝(AlN)或多孔氮化镓(GaN)微粒中氮化镁的方法。
技术介绍
具有纳米孔结构的多孔AlN或GaN微粒及以其为基形成的多孔III族合金氮化物微粒因高的比表面积、增强的光电响应特性、增强的非线性光学特性以及光催化特性等，在储氢、燃料电池、光催化裂解水、紫外探测与传感器以及非线性光学等领域具有极大的应用前景。故对AlN基多孔微粒的研究已成为多孔半导体研究领域的一个重要研究热点。当采用去合金的方法制备多孔AlN或GaN微粒时，就需要去除其中不需要的合金氮化物。去除 AlN或GaN微粒中的合金氮化物的一般的方法是采用化学清洗，把除AlN或GaN以外的其它合金氮化物通过化学反应的方法，转化为能溶于水的物质从而达到除去的目的。化学溶解能除去AlN或GaN微粒中的其它合金氮化物，但是由于水的加入，在随后的过程中需要增加干燥的过程。这对多孔AlN微粒来说，是不利的，因为AlN微粒较易水解。本专利技术提供一种不需要化学溶解就能达到去除去合金法制备的AlN或GaN微粒中氮化镁的方法。具体是通过...
【技术保护点】
中的粉末，即得到去除了氮化镁的多孔氮化铝或多孔氮化镓微粒。至９００～１１００℃，然后在此温度保温３～６小时；步骤３，粉末的冷却：保温结束后，关闭管式加热炉电源，在继续保持石英或刚玉管内压强值不变的情况下，让坩埚内的粉末随管式加热炉一起自然冷却到室温；待管式加热炉同坩埚内的粉末冷却至室温后，取出坩埚埚，然后把坩埚装入一端封闭另一端开口的刚玉或石英管内；将刚玉或石英管装入管式加热炉中，再对刚玉或石英管抽真空，使管内的压强等于或低于０．３ａｔｍ；步骤２，加热：在保持石英或刚玉管内压强值不变的情况下，打开管式加热炉的电源，使管式炉内温度升温１．一种去除多孔氮化铝或多孔氮化镓微粒中氮...
【技术特征摘要】
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