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本发明公开了一种两步氮化法制备多孔AlN或多孔GaN微粒的方法，先将配好的原料放入坩埚，然后连同坩埚一起放入加热炉，进行合金的熔炼，再将合金冷却后进行破碎，把粉碎的合金粉末颗粒放入反应炉中。对反应炉抽真空并充入高纯氮气，加热合金粉末到500...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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