【技术实现步骤摘要】
本技术涉及铸造法生长硅晶体的装置，特别是用于多晶铸锭炉的气体冷却装置。
技术介绍
铸造法生长硅晶体是将多晶硅在坩埚内熔化，通过碳毡或其他种类保温材料保证热场内的温度以及适于晶体定向凝固的温度梯度。而在铸锭硅晶体生长过程中的温度控制，则普遍是通过降低加热器功率以及提升保温层位置的方法降低热场底部温度。该方法在铸锭多晶的生产中取得了广泛应用，但这是一种被动散热的方式，在晶体生长后期往往由于散热效率较低，导致晶体生长速率大幅度降低。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是，克服现有技术中的不足，提供一种用于多晶铸锭炉的气体冷却装置。为解决技术问题，本技术的方案是提供一种用于多晶铸锭炉的气体冷却装置，设于铸锭炉内热场下方，该气体冷却装置是内部带有气流通道的石墨体。作为一种改进，所述气体冷却装置是内部带有氩气气流通道的石墨体。作为一种改进，所述气体冷却装置的气流通道呈“之”字往复形状布置。作为一种改进，所述气体冷却装置的气流通道呈“回”字形交错盘绕布置。作为一种改进，所述气流通道的转折处拐角呈直角圆弧形状。本技术的使用方法是使惰性气体从气流通道的进气口进入，气体流经石墨体内部并带...
【技术保护点】
１．一种用于多晶铸锭炉的气体冷却装置，设于铸锭炉内热场下方，其特征在于，该气体冷却装置是内部带有气流通道的石墨体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：傅林坚，曹建伟，石刚，叶欣，高宇，邱敏秀，
申请(专利权)人：上虞晶信机电科技有限公司，浙江晶盛机电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：33
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