腔体封口工艺制造技术

本发明专利技术提供一种腔体封口工艺，包括：提供基底，其上形成有腔体，腔体上方有通孔；在基底上和通孔侧壁之间形成第一封口薄膜，其在通孔侧壁之间留有间隙；对基底作退火，在退火过程中进行热氧化，将第一封口薄膜氧化成第二封口薄膜，将通孔侧壁之间的间隙全部填满。本发明专利技术还提供一种腔体封口工艺，包括：提供基底，其上形成有腔体，腔体上方有通孔；在基底上和通孔侧壁之间形成封口薄膜，将腔体完全封口，但在通孔侧壁之间留有空隙；对基底作退火，在退火过程中进行热反应，在封口薄膜上方形成反应物薄膜。本发明专利技术采用成本较低的方法填充通孔，实现了腔体的密封，不但可以改善封口的密封强度，并且还能够改善插销状填充区域与通孔侧壁之间的应力。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１．一种腔体封口工艺，包括步骤：提供半导体基底，其上形成有腔体，所述腔体通过其上方的通孔透过所述半导体基底与外测环境相连；在所述半导体基底上和所述通孔的侧壁之间形成第一封口薄膜，所述第一封口薄膜在所述通孔的侧壁之间留有间隙而未将所述腔体完全封口；对所述半导体基底作退火，在退火的过程中进行热氧化，将所述第一封口薄膜氧化成第二封口薄膜，从而将所述通孔的侧壁之间的间隙全部填满。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张挺，夏佳杰，谢志峰，邵凯，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31