【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种锥体形微池阵列立体结构电极制备方法，是基于硅的湿法腐蚀技术；其特征在于，利用各向异性湿法腐蚀，在工作电极表面制备不同尺寸的微池阵列立体结构微电极，并在电极表面立体结构上进一步实现纳米材料的修饰；其包括：ａ）设计并制备尺寸在５－１５０ｕｍ之间微池阵列的光刻模版，用氮化硅制备掩膜用于湿法腐蚀使用；ｂ）配制ＫＯＨ溶液，通过水浴加热，利用硅的各项异性湿法腐蚀方法在硅片表面腐蚀出与掩膜相应的锥体形微池阵列结构；ｃ）利用等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺在硅片结构表面做氮化硅绝缘层处理，溅射铂／金制备电极表面；ｄ）配制氯铂酸、醋酸铅混合溶液，利用电化学沉积方法在立体结构电极表面电镀铂黑颗粒，得到纳米铂簇规律性地分散于微池边缘的纳米材料电极表面修饰效果。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙楫舟，夏善红，边超，董汉鹏，陈庆永，
申请(专利权)人：中国科学院电子学研究所，
类型：发明
国别省市：11
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