【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
１．一种形成晶圆穿通孔的方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶圆；在所述晶圆的两个相对表面上分别形成第一硬掩模和第二硬掩模，所述第一硬掩模和第二硬掩模的图形关于所述晶圆对称；以第一硬掩模为掩模蚀刻所述晶圆，在所述晶圆内形成凹槽，所述凹槽的深度小于晶圆厚度；在所述凹槽底部形成第一介质层；以第二硬掩模为掩模蚀刻所述晶圆，直到露出所述第一介质层；去除第一介质层及所述第一硬掩模和第二硬掩模。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘煊杰，郭亮良，陈晓军，傅焕松，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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