【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有二维多孔结构的氧化锌薄膜的制备方法，及基于该种薄膜的 同时具有场发射和紫外光探测功能的器件，属于半导体纳米结构的制备及电子器件的制造
技术介绍
氧化锌是一种新型的II VI族直接宽带隙化合物半导体材料，具有优异的光学 和电学特性，室温下的带隙为3. 37eV，激子束缚能为60meV，预计可以在半导体微电子领域 有广泛的用途。在电场作用下，因为量子隧穿效应，电子可以从半导体、金属等阴极表面逸 出，形成场致电流发射(场发射)。与热阴极发射相比，场发射具有功耗小、启动快等特点。 如在2009年7月22日公开的中国专利技术专利申请公开说明书CN 101488431A中披露了 “一 种复合式场致发射阴极结构及其制备方法“。它意欲提供一种碳纳米管和氧化锌的复合场 发射结构。该种方法制备繁琐，需要丝网印刷等复杂工艺。另外，由于氧化锌可以和氧化 镁、氧化铬等形成合金，可以通过调节Si/Mg/Cd的相对比值，可以实现氧化锌的带隙可调， 覆盖较宽的可见-紫外光范围。这些特点使氧化锌在可见-紫外光波段的探测方面有许多 潜在的应用。如在2003年3月5...
【技术保护点】
１．一种氧化锌薄膜材料，其特征在于：其结构为垂直于衬底的二维纳米壁连接而成的多孔结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曹丙强，刘宗明，赵蔚琳，段广彬，魏浩铭，
申请(专利权)人：济南大学，
类型：发明
国别省市：88
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